| 中文摘要 | 第1-5页 |
| ABSTACT | 第5-10页 |
| 第一章 综述 | 第10-26页 |
| 1．1 电子材料的发展现状和趋势 | 第10-13页 |
| 1．1．1 电子材料的研究和发展状况 | 第10-11页 |
| 1．1．2 电子材料的研究发展动向 | 第11-13页 |
| 1．2 电镀技术在电子产业中的应用 | 第13-15页 |
| 1．2．1 半导体和IC封装 | 第14页 |
| 1．2．2 凸台制作 | 第14页 |
| 1．2．3 印刷线路板的制作 | 第14-15页 |
| 1．2．4 电阻薄膜的制作 | 第15页 |
| 1．2．5 微电子机械制造技术 | 第15页 |
| 1．3 金属／半导体欧姆接触 | 第15-20页 |
| 1．3．1 形成欧姆接触的机理 | 第16页 |
| 1．3．2 金属／半导体欧姆接触的研究近况 | 第16-18页 |
| 1．3．3 金属／半导体欧姆接触的制备方法 | 第18-19页 |
| 1．3．4 金属／半导体接触的发展趋势 | 第19-20页 |
| 1．4 光纤传感器 | 第20-22页 |
| 1．4．1 光纤传感器的研究发展概况 | 第20-22页 |
| 1．4．2 光纤传感器的研究展望 | 第22页 |
| 1．5 光纤磁场传感器 | 第22-24页 |
| 1．5．1 基于磁致伸缩效应的光纤磁场传感器 | 第23页 |
| 1．5．2 光纤磁场传感器研究现状 | 第23-24页 |
| 1．6 选题的目的和意义 | 第24-26页 |
| 第二章 实验方法 | 第26-32页 |
| 2．1 单晶硅表面沉积层的制备 | 第26-29页 |
| 2．1．1 实验材料与试样准备 | 第26页 |
| 2．1．2 预处理工艺 | 第26-27页 |
| 2．1．3 化学镀 | 第27-273页 |
| 2．1．4 电镀 | 第273-28页 |
| 2．1．5 沉积层的成分组织和性能测试 | 第28-29页 |
| 2．2 石英光纤沉积层的制备 | 第29-32页 |
| 2．2．1 实验材料与试样准备 | 第29页 |
| 2．2．2 预处理工艺 | 第29-30页 |
| 2．2．3 化学镀 | 第30页 |
| 2．2．4 电镀 | 第30页 |
| 2．2．5 沉积层的成分组织和性能测试 | 第30-32页 |
| 第三章 硅表面电沉积的实验结果和讨论 | 第32-53页 |
| 3．1 硅表面上化学镀镍的机理探讨 | 第32-36页 |
| 3．2 电沉积工艺的研究 | 第36-45页 |
| 3．2．1 电镀液配方的选择 | 第36页 |
| 3．2．2 电沉积工艺参数的正交试验优选 | 第36-40页 |
| 3．2．3 工艺参数的影响 | 第40-45页 |
| 3．3 镀层的组织、结构和性能的研究 | 第45-53页 |
| 3．3．1 化学镀镍层的表面形貌和结构 | 第45-47页 |
| 3．3．2 电沉积Ni-Pd合金镀层的结构和表面形貌 | 第47-50页 |
| 3．3．3 镀层的性能研究 | 第50-52页 |
| 本章小结 | 第52-53页 |
| 第四章 石英光纤表面电沉积的实验结果及讨论 | 第53-63页 |
| 4．1 沉积工艺的研究 | 第53-58页 |
| 4．1．1 电沉积配方 | 第53页 |
| 4．1．2 工艺参数的影响 | 第53-58页 |
| 4．2 沉积层的形貌，成分和性能的研究 | 第58-63页 |
| 4．2．1 沉积层的截面和表面形貌 | 第58-59页 |
| 4．2．2 沉积层的成分分析 | 第59-60页 |
| 4．2．3 沉积层的性能研究 | 第60-61页 |
| 本章小结 | 第61-63页 |
| 结论 | 第63-65页 |
| 参考文献 | 第65-69页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第69-70页 |
| 致谢 | 第70页 |