| 中文摘要 | 第1-9页 |
| Abstract | 第9-17页 |
| 第一章 综述 | 第17-48页 |
| ·硅的结构与性质 | 第17-22页 |
| ·硅的基本性质 | 第17-18页 |
| ·硅/溶液界面特性 | 第18-21页 |
| ·硅表面的处理 | 第21-22页 |
| ·金属纳米材料的制备与表征 | 第22-27页 |
| ·纳米材料的分类 | 第22-24页 |
| ·制备方法 | 第24-25页 |
| ·表征方法 | 第25-27页 |
| ·形貌分析 | 第25-26页 |
| ·组成分析 | 第26-27页 |
| ·电化学检测方法 | 第27页 |
| ·光谱应用分析技术 | 第27页 |
| ·纳米材料的基本特性与应用 | 第27-31页 |
| ·纳米材料的基本特性 | 第27-29页 |
| ·纳米材料的应用 | 第29-31页 |
| ·硅表面金属的无电沉积行为 | 第31-35页 |
| ·HF介质金属的无电沉积 | 第31页 |
| ·金属沉积的成核与生长 | 第31-33页 |
| ·混合电位理论 | 第33-35页 |
| ·本论文选题思路和主要研究内容 | 第35-37页 |
| 参考文献 | 第37-48页 |
| 第二章 电化学方法研究Ag在硅表面的无电沉积行为 | 第48-66页 |
| ·循环伏安法研究银在p-Si(111)的微量污染 | 第49-55页 |
| ·实验 | 第49-51页 |
| ·结果与讨论 | 第51-54页 |
| ·Ag层上的CV行为 | 第51-53页 |
| ·计算表面覆盖量 | 第53-54页 |
| ·小结 | 第54-55页 |
| ·电化学研究硅表面能级:HF浓度对Ag无电沉积行为的影响 | 第55-63页 |
| ·实验部分 | 第55页 |
| ·结果与讨论 | 第55-62页 |
| ·电化学直流极化分析方法 | 第56-57页 |
| ·开路电位时间曲线技术 | 第57-59页 |
| ·沉积速率的研究 | 第59-60页 |
| ·AFM表征 | 第60-62页 |
| ·小结 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-66页 |
| 第三章 树枝结构Ag、Au纳米晶的制备及表面拉曼增强效应的研究 | 第66-93页 |
| ·NH_4F介质自组装树枝结构Ag纳米晶及浅层多孔硅PL特性的研究 | 第67-74页 |
| ·实验部分 | 第67-68页 |
| ·结果与讨论 | 第68-72页 |
| ·小结 | 第72-74页 |
| ·树枝状纳米Ag结构演变过程中形貌的多样性及SERS研究 | 第74-83页 |
| ·实验部分 | 第74-75页 |
| ·Ag纳米结构的生长 | 第74-75页 |
| ·Ag纳米结构的表征 | 第75页 |
| ·Ocp-t测量 | 第75页 |
| ·SERS检测 | 第75页 |
| ·结果与讨论 | 第75-82页 |
| ·形貌演变 | 第75-78页 |
| ·Ocp-t曲线 | 第78-79页 |
| ·XRD分析 | 第79-80页 |
| ·结构多样性形成的机理 | 第80-81页 |
| ·SERS应用 | 第81-82页 |
| ·小结 | 第82-83页 |
| ·树枝状纳米金表面自组装2-巯基萘分子膜的研究 | 第83-89页 |
| ·实验部分 | 第83-84页 |
| ·结果与讨论 | 第84-88页 |
| ·硅基树枝状纳米金的制备与表征 | 第84-85页 |
| ·树枝状纳米金表面自组装2-巯基萘分子膜 | 第85-88页 |
| ·小结 | 第88-89页 |
| 参考文献 | 第89-93页 |
| 第四章 无电沉积Ag-W膜材料:元素掺杂方式的研究 | 第93-109页 |
| ·HF溶液硅基体无电沉积Ag-W薄膜的研究 | 第94-99页 |
| ·实验 | 第94-95页 |
| ·结果与讨论 | 第95-99页 |
| ·Ag-W膜的表征 | 第95-97页 |
| ·比较Ag-W薄膜与Ag膜 | 第97-99页 |
| ·无电沉积法制备树枝状W掺杂的Ag纳米晶 | 第99-103页 |
| ·实验部分 | 第99-100页 |
| ·结果与讨论 | 第100-103页 |
| ·W元素掺杂的理论模型 | 第103-104页 |
| ·本章结论 | 第104-106页 |
| 参考文献 | 第106-109页 |
| 第五章 电沉积Pd/WO_3和Ag-W薄膜及其性能研究 | 第109-129页 |
| ·前言 | 第109页 |
| ·Pd/WO_3薄膜的制备及其对肼化合物的电催化氧化 | 第109-119页 |
| ·实验部分 | 第110-111页 |
| ·Pd/WO_3薄膜的制备 | 第110页 |
| ·表征 | 第110-111页 |
| ·电催化活性的评价 | 第111页 |
| ·结果与讨论 | 第111-116页 |
| ·结论 | 第116-117页 |
| 参考文献 | 第117-119页 |
| ·十二烷基硫酸钠对电沉积法制得Ag-W薄膜结构特性的影响 | 第119-129页 |
| ·实验 | 第119-120页 |
| ·硅片预处理 | 第119-120页 |
| ·电化学沉积过程 | 第120页 |
| ·表征 | 第120页 |
| ·结果与讨论 | 第120-126页 |
| ·循环伏安行为 | 第120-122页 |
| ·SDS对Ag-W膜结构特性的影响 | 第122-124页 |
| ·组成分析 | 第124-125页 |
| ·硅基Ag-W膜电阻率分析 | 第125-126页 |
| ·小结 | 第126-127页 |
| 参考文献 | 第127-129页 |
| 第六章 结论与展望 | 第129-132页 |
| ·结论 | 第129-130页 |
| ·展望 | 第130-132页 |
| 附录 Ⅰ主要缩略与对照表 | 第132-134页 |
| 附录 Ⅱ作者攻读博士期间发表论文情况 | 第134-136页 |
| 致谢 | 第136页 |
