| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-14页 |
| ·课题研究背景及意义 | 第8-9页 |
| ·国内外发展和现状 | 第9-10页 |
| ·论文的主要工作 | 第10-11页 |
| ·论文的组织结构 | 第11-14页 |
| 第二章 超高速二分频器电路仿真及设计 | 第14-30页 |
| ·砷化镓材料及其特性简介 | 第14-17页 |
| ·砷化镓材料简介 | 第14页 |
| ·GaAs材料与Si材料的特性比较 | 第14-15页 |
| ·GaAs HBT的特点 | 第15-17页 |
| ·分频器简介 | 第17-18页 |
| ·电路设计及仿真 | 第18-26页 |
| ·电路建模 | 第18-19页 |
| ·分频器核心部分 | 第19-21页 |
| ·输入缓冲器设计 | 第21页 |
| ·输出缓冲器设计 | 第21-22页 |
| ·偏置电路设计 | 第22-23页 |
| ·系统结构图及仿真结果 | 第23-24页 |
| ·版图设计及封装 | 第24-26页 |
| ·基于ECL结构设计的分频器 | 第26-28页 |
| ·ECL结构特点及分频器电路设计 | 第26-27页 |
| ·仿真结果及结论 | 第27-28页 |
| ·本章小结 | 第28-30页 |
| 第三章 分频器γ辐射实验 | 第30-42页 |
| ·空间辐射环境 | 第30-33页 |
| ·空间辐射环境 | 第30-31页 |
| ·大气辐射环境 | 第31-32页 |
| ·核辐射环境 | 第32页 |
| ·其它辐射环境 | 第32-33页 |
| ·辐射粒子与半导体材料的作用 | 第33-34页 |
| ·辐射效应 | 第34-35页 |
| ·总剂量效应 | 第34页 |
| ·单粒子效应 | 第34-35页 |
| ·双极电路的辐射损伤机理及其加固简介 | 第35-36页 |
| ·InGaP/GaAs HBT二分频器的~(60)Co γ辐照效应研究 | 第36-40页 |
| ·实验样品选取及安排 | 第36-37页 |
| ·实验仪器和设备 | 第37-38页 |
| ·辐照实验条件 | 第38-39页 |
| ·实验过程 | 第39-40页 |
| ·本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 分频器测试及分析 | 第42-56页 |
| ·测试样品 | 第42页 |
| ·测试仪器 | 第42页 |
| ·分频器测试参数 | 第42页 |
| ·测试过程 | 第42-45页 |
| ·测试结果及分析 | 第45-55页 |
| ·原始数据表 | 第45-49页 |
| ·数据处理 | 第49-52页 |
| ·结果分析 | 第52-55页 |
| ·结论 | 第55页 |
| ·本章小结 | 第55-56页 |
| 第五章 结束语 | 第56-58页 |
| ·工作总结 | 第56页 |
| ·研究展望 | 第56-58页 |
| 致谢 | 第58-60页 |
| 参考文献 | 第60-64页 |
| 研究成果 | 第64-65页 |