等离子体源离子注入介质靶鞘层特性的数值研究
摘要 | 第1-6页 |
Abstract | 第6-11页 |
1 绪论 | 第11-21页 |
·等离子体源离子注入技术的特点及应用 | 第11-15页 |
·等离子体源离子注入技术特点 | 第11-13页 |
·等离子体源离子注入技术的应用 | 第13-15页 |
·PSⅡ鞘层演化的物理模型及研究方法 | 第15-18页 |
·PSⅡ介质靶鞘层演化研究现状 | 第18-19页 |
·本文主要研究内容及安排 | 第19-21页 |
2 PSⅡ介质靶鞘层演化的解析模型 | 第21-30页 |
·基本物理模型 | 第21-23页 |
·模拟结果及讨论 | 第23-29页 |
·小结 | 第29-30页 |
3 PSⅡ介质靶鞘层演化的一维流体动力学模型 | 第30-56页 |
·基本物理模型 | 第30-35页 |
·基本方程 | 第30-31页 |
·介质靶表面充电效应及边界条件 | 第31-33页 |
·二次电子发射效应 | 第33页 |
·数值模拟方法 | 第33-35页 |
·模拟结果及讨论 | 第35-50页 |
·二次电子发射效应的影响 | 第36-38页 |
·鞘层的时空演化特性 | 第38-43页 |
·脉冲电压上升时间的影响 | 第43-46页 |
·靶的几何形状的影响 | 第46-50页 |
·入射到介质靶表面的离子能量分布 | 第50-54页 |
·小结 | 第54-56页 |
4 离子成分比对PSⅡ介质靶鞘层演化的影响 | 第56-63页 |
·基本物理模型 | 第56-58页 |
·模拟结果及讨论 | 第58-62页 |
·小结 | 第62-63页 |
5 PSⅡ平面介质靶鞘层演化的二维流体动力学模型 | 第63-83页 |
·基本物理模型 | 第63-68页 |
·基本方程 | 第63-64页 |
·介质靶表面充电效应及边界条件 | 第64-66页 |
·数值模拟方法 | 第66-68页 |
·模拟结果及讨论 | 第68-81页 |
·鞘层时空演化特性 | 第68-74页 |
·充电效应对离子注入均匀性的影响 | 第74-78页 |
·介质靶摆放位置对注入均匀性的影响 | 第78-81页 |
·小结 | 第81-83页 |
结论 | 第83-85页 |
参考文献 | 第85-92页 |
创新点摘要 | 第92-93页 |
攻读博士学位期间发表学术论文情况 | 第93-94页 |
致谢 | 第94-95页 |