| 摘要 | 第1-8页 |
| Abstract | 第8-11页 |
| 第一章 放射性同位素电池概述 | 第11-19页 |
| ·放射性同位素电池分类 | 第11-15页 |
| ·放射性同位素电池优点 | 第15-16页 |
| ·国内外核能电能转换研究状况 | 第16-17页 |
| ·本文工作 | 第17-19页 |
| 第二章 能量转换芯片的结构和理论模型 | 第19-33页 |
| ·辐射伏特效应 | 第19-20页 |
| ·能量转换芯片结构 | 第20-21页 |
| ·能量转换芯片的工作原理 | 第21-22页 |
| ·同位素电池的参数分析 | 第22-30页 |
| ·电子空穴对的产生 | 第23页 |
| ·电子空穴对的复合 | 第23-25页 |
| ·短路电流 | 第25-28页 |
| ·内部电阻 | 第28页 |
| ·电池的等效电路 | 第28-30页 |
| ·能量转换的影响因素 | 第30-32页 |
| ·放射源的选择 | 第30-31页 |
| ·电池内电阻的影响 | 第31页 |
| ·PN结的结构形状 | 第31-32页 |
| ·本章小结 | 第32-33页 |
| 第三章 能量转换芯片的制备工艺以及原理 | 第33-46页 |
| ·能量转换芯片制备工艺流程概述 | 第33页 |
| ·氧化光刻 | 第33-34页 |
| ·形成多孔结构 | 第34-38页 |
| ·干法刻蚀 | 第35页 |
| ·湿法刻蚀 | 第35-37页 |
| ·电化学刻蚀 | 第37-38页 |
| ·形成浅结PN结 | 第38-41页 |
| ·去除背面扩散层 | 第41-44页 |
| ·蒸镀金属铝形成电极 | 第44-45页 |
| ·贴片装配 | 第45页 |
| ·本章小结 | 第45-46页 |
| 第四章硅电化学刻蚀形成多孔硅结构的原理以及影响因素 | 第46-65页 |
| ·多孔硅的形成机制 | 第46-48页 |
| ·电化学深刻蚀形成P型多孔硅的基本原理 | 第48-50页 |
| ·实验装置 | 第50-55页 |
| ·电化学反应装置 | 第50-53页 |
| ·工艺控制软件介绍 | 第53-55页 |
| ·电化学刻蚀多孔结构的影响因素 | 第55-64页 |
| ·衬底导电类型 | 第55-56页 |
| ·背面接触 | 第56-57页 |
| ·刻蚀溶液成分 | 第57-61页 |
| ·电流-电压特性以及背面光照度对电化学刻蚀行为的影响 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-65页 |
| 第五章 能量转换芯片电性测试 | 第65-70页 |
| ·电学性能测试 | 第65-68页 |
| ·本章小结 | 第68-70页 |
| 第六章 总结 | 第70-77页 |
| ·结论 | 第70页 |
| ·展望 | 第70-77页 |
| 致谢 | 第77-78页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第78页 |