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Ba1-xSrxTi1-ySnyO3系统介质瓷的制备与性能研究

中文摘要第1-4页
ABSTRACT第4-9页
第一章 文献综述第9-26页
   ·介电性能的基本原理第10-11页
     ·介电常数第10页
     ·介电常数温度特性第10页
     ·击穿强度第10-11页
   ·介质材料的研究现状第11-14页
     ·BaTiO_3 系介质陶瓷材料第11-12页
     ·SrTiO_3 系介质陶瓷材料第12页
     ·(Ba,Sr)TiO_3 基陶瓷材料第12-13页
     ·(Bi_(0.5)Na_(0.5)) TiO_3 基陶瓷介质体系第13页
     ·NaNbO_3 基陶瓷介质体系第13页
     ·反铁电陶瓷介质材料第13-14页
   ·BaTiO_3 晶体的结构和性质第14-15页
     ·BaTiO_3 晶体的结构第14-15页
     ·BaTiO_3 晶体的介电-温度特性第15页
   ·钛酸钡系电子陶瓷的制备方法第15-17页
     ·草酸盐共沉淀法第16页
     ·水热法第16-17页
     ·溶胶-凝胶法第17页
     ·溶胶-沉淀法第17页
   ·钛酸钡系介质材料的掺杂改性第17-23页
     ·BaTiO_3 的A 位置换第17-19页
     ·置换B 位的Ti~(4+)产生的改性第19-21页
     ·稀土元素掺杂对BaTiO_3 系介质材料的影响第21-23页
   ·BaTiO_3 系陶瓷电容器制造工艺第23-24页
     ·电容器结构第23页
     ·成形工艺第23-24页
     ·烧成工艺第24页
     ·电极工艺第24页
   ·课题的提出第24-26页
第二章 实验方案设计与研究方法第26-30页
   ·实验思路第26页
   ·实验药品与主要仪器第26-27页
     ·原料规格及配方第26-27页
     ·实验仪器第27页
     ·检测设备第27页
   ·实验主要工艺流程及说明第27-28页
   ·性能测试与数据处理第28-30页
     ·性能测试第28-29页
     ·数据处理第29-30页
第三章 正交实验数据的处理和最佳配比的得出第30-34页
   ·正交实验的原理第30页
   ·因素水平表的确定第30-31页
   ·正交实验数据的处理和最佳配比的得出第31-34页
第四章 结果与讨论第34-61页
   ·A,B 位取代对材料介电性能的影响第34-44页
     ·Sr~(2+)的含量对Ba_(1-x)Sr_xTi_(1-y)Sn_yO_3 系统介电性能的影响第34-39页
       ·Sr~(2+)的含量对介电常数的影响第35-36页
       ·Sr~(2+)的含量对介电损耗的影响第36-37页
       ·Sr~(2+)的含量对介电系数变化率(电容变化率)的影响第37-39页
       ·Sr~(2+)的含量对于耐电击穿强度的影响第39页
     ·Sn~(4+)的含量对Ba_(1-x)Sr_xTi_(1-y)Sn_yO_3 系统介电性能的影响第39-44页
       ·Sn~(4+)的含量对介电常数的影响第41页
       ·Sn~(4+)的含量对峰值介电常数和居里温度的影响第41-43页
       ·Sn~(4+)的含量对试样击穿场强的影响第43-44页
   ·二次掺杂物对材料介电性能的影响第44-56页
     ·Y_2O_3 对材料介电性能的影响第44-49页
       ·Y_2O_3 的含量对材料介电常数的影响第46-47页
       ·Y_2O_3 的含量对材料介电损耗的影响第47-48页
       ·Y_2O_3 的含量对材料居里温度的影响第48-49页
     ·Nb_2O_5 对材料介电性能的影响第49-52页
       ·Nb_2O_5 的含量对材料介电常数的影响第50-51页
       ·Nb_2O_5 的含量对材料介电损耗的影响第51-52页
     ·MgO 对材料介电性能的影响第52-53页
     ·ZnO 对材料介电性能的影响第53-56页
       ·ZnO 对材料微观形貌的影响第54页
       ·ZnO 对材料介电常数和损耗的影响第54-56页
   ·工艺条件对介电性能的影响第56-61页
     ·烧结温度对材料介电性能的影响第56-59页
       ·烧结温度对材料体积密度和气孔率的影响第56-57页
       ·烧结温度对材料介电性能的影响第57-59页
     ·保温时间对材料介电性能的影响第59页
     ·温度对材料介电性能的影响第59-61页
第五章 结论第61-63页
参考文献第63-69页
发表论文和科研情况说明第69-70页
致谢第70页

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