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基于SOC应用的NiZn铁氧体薄膜研究

摘要第1-5页
ABSTRACT第5-9页
第一章 绪论第9-20页
   ·引言第9页
   ·NiZn 铁氧体薄膜国内外研究现状第9-19页
     ·薄膜制备工艺研究第9-13页
     ·薄膜在集成器件中的应用研究第13-17页
     ·薄膜高频磁特性研究第17-19页
   ·本论文的内容及结构安排第19-20页
第二章 NiZn 铁氧体靶材和薄膜的制备及分析表征方法第20-24页
   ·NiZn 铁氧体靶材的制备第20页
   ·NiZn 铁氧体薄膜的制备第20-21页
   ·NiZn 铁氧体靶材和薄膜的测试与分析方法第21-24页
第三章 X 射线衍射法计算NiZn 铁氧体阳离子占位第24-32页
   ·引言第24页
   ·实验及样品分析表征第24-25页
   ·结果与讨论第25-31页
     ·点阵常数测量值的精确确定第25页
     ·点阵常数的理论计算第25-31页
   ·本章小结第31-32页
第四章 不同基片上NiZn 铁氧体薄膜性能研究第32-38页
   ·引言第32-33页
   ·实验方法及性能表征第33页
   ·结果与讨论第33-37页
     ·不同基片对取向生长的影响第33-36页
     ·不同基片对磁性能的影响第36-37页
   ·本章小结第37-38页
第五章 NiZn 铁氧体薄膜热处理工艺及晶粒生长动力学研究第38-49页
   ·NiZn 铁氧体薄膜热处理工艺研究第38-43页
     ·引言第38页
     ·NiZn 铁氧体薄膜的制备第38-39页
     ·样品性能表征第39页
     ·结果与讨论第39-43页
   ·NiZn 铁氧体薄膜晶粒生长动力学研究第43-48页
     ·引言第43页
     ·实验与样品性能表征第43-44页
     ·结果与讨论第44-48页
   ·本章小结第48-49页
第六章 ZnFe_20_4缓冲层上制备高度取向生长NiZn 铁氧体薄膜第49-61页
   ·引言第49页
   ·沿{111}面单一取向生长ZnFe_20_4 缓冲层制备第49-56页
     ·背景技术第49-51页
     ·实验与样品性能表征第51页
     ·结果与讨论第51-56页
   ·ZnFe_20_4 缓冲层上制备高度取向生长NiZn 铁氧体薄膜第56-59页
     ·实验与样品性能表征第56-57页
     ·结果与讨论第57-59页
   ·本章小结第59-61页
第七章 结论第61-63页
致谢第63-64页
参考文献第64-74页
攻硕期间取得的研究成果第74-75页

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