摘要 | 第1-5页 |
ABSTRACT | 第5-9页 |
第一章 绪论 | 第9-20页 |
·引言 | 第9页 |
·NiZn 铁氧体薄膜国内外研究现状 | 第9-19页 |
·薄膜制备工艺研究 | 第9-13页 |
·薄膜在集成器件中的应用研究 | 第13-17页 |
·薄膜高频磁特性研究 | 第17-19页 |
·本论文的内容及结构安排 | 第19-20页 |
第二章 NiZn 铁氧体靶材和薄膜的制备及分析表征方法 | 第20-24页 |
·NiZn 铁氧体靶材的制备 | 第20页 |
·NiZn 铁氧体薄膜的制备 | 第20-21页 |
·NiZn 铁氧体靶材和薄膜的测试与分析方法 | 第21-24页 |
第三章 X 射线衍射法计算NiZn 铁氧体阳离子占位 | 第24-32页 |
·引言 | 第24页 |
·实验及样品分析表征 | 第24-25页 |
·结果与讨论 | 第25-31页 |
·点阵常数测量值的精确确定 | 第25页 |
·点阵常数的理论计算 | 第25-31页 |
·本章小结 | 第31-32页 |
第四章 不同基片上NiZn 铁氧体薄膜性能研究 | 第32-38页 |
·引言 | 第32-33页 |
·实验方法及性能表征 | 第33页 |
·结果与讨论 | 第33-37页 |
·不同基片对取向生长的影响 | 第33-36页 |
·不同基片对磁性能的影响 | 第36-37页 |
·本章小结 | 第37-38页 |
第五章 NiZn 铁氧体薄膜热处理工艺及晶粒生长动力学研究 | 第38-49页 |
·NiZn 铁氧体薄膜热处理工艺研究 | 第38-43页 |
·引言 | 第38页 |
·NiZn 铁氧体薄膜的制备 | 第38-39页 |
·样品性能表征 | 第39页 |
·结果与讨论 | 第39-43页 |
·NiZn 铁氧体薄膜晶粒生长动力学研究 | 第43-48页 |
·引言 | 第43页 |
·实验与样品性能表征 | 第43-44页 |
·结果与讨论 | 第44-48页 |
·本章小结 | 第48-49页 |
第六章 ZnFe_20_4缓冲层上制备高度取向生长NiZn 铁氧体薄膜 | 第49-61页 |
·引言 | 第49页 |
·沿{111}面单一取向生长ZnFe_20_4 缓冲层制备 | 第49-56页 |
·背景技术 | 第49-51页 |
·实验与样品性能表征 | 第51页 |
·结果与讨论 | 第51-56页 |
·ZnFe_20_4 缓冲层上制备高度取向生长NiZn 铁氧体薄膜 | 第56-59页 |
·实验与样品性能表征 | 第56-57页 |
·结果与讨论 | 第57-59页 |
·本章小结 | 第59-61页 |
第七章 结论 | 第61-63页 |
致谢 | 第63-64页 |
参考文献 | 第64-74页 |
攻硕期间取得的研究成果 | 第74-75页 |