X波段单片低噪声放大器的研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| Abstract | 第4-7页 |
| 1 绪论 | 第7-10页 |
| ·概述 | 第7页 |
| ·MMIC的发展概况 | 第7-8页 |
| ·研究背景 | 第8-9页 |
| ·本论文的研究内容 | 第9-10页 |
| 2 总体方案设计 | 第10-16页 |
| ·低噪声放大芯片的方案选择及比较 | 第10-13页 |
| ·采用硅双极晶体管设计LNA MMIC | 第10-11页 |
| ·采用HBT设计LNA MMIC | 第11页 |
| ·采用MESFET设计LNA MMIC | 第11-12页 |
| ·采用HEMT设计LNA MMIC | 第12-13页 |
| ·总体方案 | 第13页 |
| ·研究内容和研制步骤 | 第13-15页 |
| ·小结 | 第15-16页 |
| 3 低噪声放大芯片的工作原理 | 第16-24页 |
| ·低噪声放大芯片主要技术指标的定义 | 第16-22页 |
| ·噪声系数与噪声温度 | 第16-18页 |
| ·功率增益、相关增益与增益平坦度 | 第18-19页 |
| ·工作频带 | 第19页 |
| ·动态范围 | 第19-20页 |
| ·端口驻波比 | 第20页 |
| ·稳定性 | 第20-22页 |
| ·在圆图上表示噪声和增益 | 第22-23页 |
| ·电路设计原则 | 第23页 |
| ·小结 | 第23-24页 |
| 4 器件建模 | 第24-38页 |
| ·器件模型的选择 | 第24页 |
| ·微波PHEMT器件模型 | 第24-31页 |
| ·PHEMT的小信号模型 | 第25-27页 |
| ·PHEMT的大信号非线性模型 | 第27页 |
| ·PHEMT的噪声模型 | 第27-31页 |
| ·无源器件的建模 | 第31-36页 |
| ·平面电感器 | 第31-33页 |
| ·平面电容器 | 第33-35页 |
| ·平面电阻 | 第35-36页 |
| ·管芯参数、噪声模型的提取 | 第36页 |
| ·模型提取的优化方法 | 第36-37页 |
| ·小结 | 第37-38页 |
| 5 低噪声放大芯片的设计 | 第38-59页 |
| ·稳定性分析 | 第38-39页 |
| ·匹配电路的设计 | 第39-49页 |
| ·输入匹配电路 | 第39-42页 |
| ·级间匹配电路 | 第42-45页 |
| ·输出匹配电路 | 第45-49页 |
| ·偏置馈电电路 | 第49-51页 |
| ·低噪声放大芯片整体电路拓扑及优化 | 第51-54页 |
| ·电路拓扑 | 第51-52页 |
| ·电路优化 | 第52-54页 |
| ·灵敏度分析 | 第54-55页 |
| ·版图设计和电磁场分析 | 第55-58页 |
| ·小结 | 第58-59页 |
| 6 芯片加工工艺 | 第59-61页 |
| ·芯片工艺流程 | 第59页 |
| ·采用的工艺技术 | 第59-61页 |
| 结论 | 第61-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-65页 |
