| 中文摘要 | 第1-6页 |
| 英文摘要 | 第6-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-23页 |
| ·铁电体的概况 | 第8-12页 |
| ·铁电存储器 | 第12-14页 |
| ·现有材料的优缺点及改进方法 | 第14-16页 |
| ·本论文工作的目的、意义和内容 | 第16-23页 |
| 第二章 用 Sol-Gel 方法制备 SBTi 薄膜 | 第23-37页 |
| ·引言 | 第23页 |
| ·sol-gel 技术的基本过程 | 第23-24页 |
| ·样品的制备 | 第24-27页 |
| ·sol-gel 制备SBTi 薄膜的性能测试 | 第27-34页 |
| ·本章小结 | 第34-37页 |
| 第三章 A 位掺杂的 SBTi 薄膜的制备及其性能研究 | 第37-54页 |
| ·La 掺杂SBTi 薄膜的制备及其性能研究 | 第37-44页 |
| ·Sr_(1-x)Bi_(4+2x/3)Ti_4O_(15) 铁电薄膜的制备及其性能研究 | 第44-49页 |
| ·本章小结 | 第49-54页 |
| 第四章 B 位掺杂 SBTi 薄膜性能研究 | 第54-68页 |
| ·引言 | 第54页 |
| ·V~(5+)掺杂 SBTi(SrBi_4Ti_(3.97)V_(0.03)O_(15)：SBTV)薄膜的制备 | 第54-55页 |
| ·SrBi_4Ti_(3.97)V_(0.03)O_(15) 薄膜的性能测试 | 第55-61页 |
| ·A、B 位单掺和A、B 位共掺的性质比较 | 第61-64页 |
| ·本章小结 | 第64-68页 |
| 第五章 Bi_4Ti_3O_(12)-SrBi_4Ti_4O_(15) 共生薄膜的制备及掺杂研究 | 第68-78页 |
| ·引言 | 第68-70页 |
| ·BIT-SBTi 共生薄膜的制备及性能 | 第70-74页 |
| ·La、Nd 掺杂 BIT-SBTi 共生薄膜的制备及性能 | 第74-76页 |
| ·本章小结 | 第76-78页 |
| 第六章 工作总结及展望 | 第78-80页 |
| 研究生期间已发表和待发表的论文 | 第80-82页 |
| 致谢 | 第82页 |
