基于PIN型光电二极管的γ射线探测系统研究
| 1. 绪论 | 第1-15页 |
| ·引言 | 第9页 |
| ·核辐射探测器的发展概述 | 第9-13页 |
| ·气体探测器 | 第10-11页 |
| ·闪烁体探测器 | 第11-12页 |
| ·半导体探测器 | 第12-13页 |
| ·其它探测器 | 第13页 |
| ·本文的主要工作目标 | 第13-15页 |
| 2. 射线辐射检测的基本原理 | 第15-24页 |
| ·电离辐射及其分类 | 第15页 |
| ·电离辐射场与辐射场量 | 第15-17页 |
| ·电离辐射场 | 第15页 |
| ·辐射场量 | 第15-17页 |
| ·剂量学的量和单位 | 第17-19页 |
| ·吸收剂量和吸收剂量率 | 第17-18页 |
| ·照射量和照射量率 | 第18页 |
| ·比释动能和比释动能率 | 第18-19页 |
| ·γ和X 射线与物质的相互作用 | 第19-22页 |
| ·光电效应 | 第20页 |
| ·康普顿效应 | 第20-21页 |
| ·电子对生成 | 第21-22页 |
| ·吸收 | 第22页 |
| ·γ射线剂量测量 | 第22-24页 |
| 3. 探测器的性能与噪声分析基础 | 第24-34页 |
| ·探测器的性能指标 | 第24-27页 |
| ·探测效率 | 第24页 |
| ·输出幅度的大小 | 第24页 |
| ·分辨率 | 第24-26页 |
| ·线性响应 | 第26页 |
| ·稳定性 | 第26-27页 |
| ·信号噪声对电子学系统的影响 | 第27-29页 |
| ·信号噪声的来源和分类 | 第29-34页 |
| ·散粒噪声 | 第29-30页 |
| ·热噪声 | 第30-32页 |
| ·1/f 噪声 | 第32-34页 |
| 4. 探测传感器 | 第34-50页 |
| ·探测系统的组成 | 第34-36页 |
| ·无机闪烁体CsI(T1) | 第36-39页 |
| ·发射光谱 | 第37页 |
| ·发光效率 | 第37-38页 |
| ·发光时间和发光衰减时间 | 第38-39页 |
| ·PIN 型光电二极管 | 第39-48页 |
| ·半导体PN 结 | 第39-41页 |
| ·硅光电二极管的光生伏特效应原理 | 第41-45页 |
| ·半导体光电二极管的主要参数 | 第45-46页 |
| ·PIN 型硅光电二极管（S3590） | 第46-48页 |
| ·探测传感器的制作 | 第48-50页 |
| 5. 前置放大器的设计方案 | 第50-60页 |
| ·前置放大器的作用 | 第50-51页 |
| ·前置电荷放大器设计的方案 | 第51-58页 |
| ·电压灵敏前置放大器 | 第51-53页 |
| ·电流灵敏前置放大器 | 第53-54页 |
| ·阻抗变换前置放大器 | 第54-56页 |
| ·分立元件前置放大器 | 第56-58页 |
| ·电路的印刷制板 | 第58-60页 |
| 6. 电路的测试 | 第60-69页 |
| ·电流型前置放大器的特性分析 | 第60-63页 |
| ·低频特性分析和高频特性分析 | 第61页 |
| ·对测试电路的影响 | 第61-63页 |
| ·探头的制作 | 第63-65页 |
| ·电流灵敏放大器的初步调试 | 第63-64页 |
| ·探头的制作 | 第64-65页 |
| ·测试 | 第65-69页 |
| 总结和展望 | 第69-71页 |
| 附录 | 第71-72页 |
| 参考文献 | 第72-76页 |
| 攻读硕士学位期间发表的论文及其取得的研究成果 | 第76-77页 |
| 致谢 | 第77页 |
