| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-7页 |
| 前言 | 第7-9页 |
| 第一章 深亚微米集成电路用大直径直拉硅单晶中微缺陷研究现状综述 | 第9-34页 |
| ·集成电路发展趋势及对硅单晶材料的要求 | 第9-12页 |
| ·大直径CZSi 单晶中的微缺陷 | 第12-25页 |
| ·硅单晶中的微缺陷 | 第12页 |
| ·大直径硅单晶中空洞型微缺陷种类 | 第12-15页 |
| ·Void 微缺陷的形成 | 第15-17页 |
| ·杂质对Void 微缺陷的影响 | 第17-20页 |
| ·Void 微缺陷对器件性能的影响 | 第20-23页 |
| ·Void 微缺陷的消除 | 第23-25页 |
| ·氧沉淀 | 第25-29页 |
| ·RTA 技术在集成电路中的应用 | 第29-32页 |
| ·本论文主要研究内容 | 第32-34页 |
| 第二章 实验方法 | 第34-39页 |
| ·实验设备 | 第34-37页 |
| ·实验样品制备 | 第37-39页 |
| 第三章 深亚微米集成电路用大直径CZSi 单晶中的流动图形缺陷的腐蚀与显示 | 第39-48页 |
| ·大直径硅单晶中FPDs 的微观形貌 | 第39-45页 |
| ·腐蚀机理及抛物线模型 | 第45-47页 |
| ·小结 | 第47-48页 |
| 第四章 RTA 退火气氛对轻掺硅单晶中void 微缺陷的影响 | 第48-64页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·实验结果 | 第49-56页 |
| ·热处理气氛对FPDs 微观结构的影响 | 第49-50页 |
| ·RTA 处理条件对FPDs 密度的影响 | 第50-55页 |
| ·RTA 退火对硅片中间隙氧含量的影响 | 第55-56页 |
| ·高温RTA 工艺对FPDs 的影响机制 | 第56-62页 |
| ·小结 | 第62-64页 |
| 第五章 RTA 对重掺硅单晶中的void 微缺陷的影响 | 第64-76页 |
| ·掺杂剂原子对大直径CZSi 单晶中的流动图形缺陷的影响 | 第64-69页 |
| ·RTA 条件下重掺硅单晶中的流动图形缺陷消除机制 | 第69-75页 |
| ·小结 | 第75-76页 |
| 第六章 RTA 预处理对轻掺CZSi 中的MDZ 的影响 | 第76-88页 |
| ·实验方案 | 第76-77页 |
| ·实验结果 | 第77-83页 |
| ·分析与讨论 | 第83-87页 |
| ·小结 | 第87-88页 |
| 结论 | 第88-90页 |
| 参考文献 | 第90-100页 |
| 在学期间发表论文情况说明 | 第100-102页 |
| 致谢 | 第102页 |
