中文摘要 | 第1-8页 |
ABSTRACT | 第8-12页 |
第一章. 引言 | 第12-28页 |
·序言 | 第12-13页 |
·薄膜生长动力学的研究 | 第13-21页 |
·薄膜生长动力学的主要模拟方法 | 第13-17页 |
·薄膜生长动力学的实验研究进展 | 第17-21页 |
·蒙特卡罗方法模拟薄膜生长的现状 | 第21-26页 |
·蒙特卡罗方法简介 | 第21-24页 |
·蒙特卡罗方法模拟薄膜生长 | 第24-26页 |
·氧化物薄膜生长特性的计算机模拟研究 | 第26页 |
·本论文的选题依据及主要研究内容 | 第26-28页 |
第二章. 基于分子源的SrTi03薄膜外延生长的模拟 | 第28-36页 |
·物质源 | 第28页 |
·伪随机数算法 | 第28-29页 |
·模型描述与算法描述 | 第29-30页 |
·沉积事件 | 第29页 |
·扩散事件 | 第29-30页 |
·吸附成核事件 | 第30页 |
·Monte Carlo 事件之间的关系 | 第30页 |
·模拟参数的考虑 | 第30-31页 |
·模拟结果与分析 | 第31-35页 |
本章小结 | 第35-36页 |
第三章 在晶胞层次SrTiO_3薄膜的外延生长的模拟 | 第36-101页 |
·模型描述 | 第36-39页 |
·相互作用 | 第39-40页 |
·模拟结果 | 第40-100页 |
·不同生长条件下详细的形貌演化过程 | 第40-87页 |
·生长模式谱图 | 第87-88页 |
·粗糙度 | 第88-94页 |
·初期岛的比较 | 第94-100页 |
·初期岛-生长模式-表面粗糙度的关系 | 第100页 |
本章小结 | 第100-101页 |
第四章 近室温条件下制备BaTiO_3薄膜的理论分析和实验验证 | 第101-122页 |
·引言 | 第101-102页 |
·理论分析 | 第102-105页 |
·Si(001)表面的模板效应 | 第102-103页 |
·近室温沉积的条件分析 | 第103-105页 |
·实验实现 | 第105-121页 |
·XRD 分析 | 第107-111页 |
·表面元素分析 | 第111-114页 |
·AFM 分析 | 第114-117页 |
·电学性质 | 第117-121页 |
本章小结 | 第121-122页 |
第五章 主要结论和进一步研究工作的建议 | 第122-126页 |
·本论文主要研究成果 | 第122-124页 |
·本论文的主要创新点 | 第124-125页 |
·下一步研究的建议 | 第125-126页 |
参考文献 | 第126-133页 |
作者在攻读硕士学位期间参加的研究项目 | 第133-134页 |
攻读硕士学位期间发表和投寄的论文 | 第134-135页 |
致谢 | 第135-136页 |
声明 | 第136页 |