首页--数理科学和化学论文--物理学论文--半导体物理学论文--半导体理论论文--半导体量子理论论文

InGaAs层对(B)InAs/GaAs量子点特性影响的研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-8页
目录第8-10页
符号说明第10-11页
第一章 绪论第11-17页
   ·研究背景及量子点简介第11-13页
   ·论文结构安排第13-14页
 参考文献第14-17页
第二章 自组织量子点生长技术及测试方法第17-29页
   ·量子点生长第17-20页
   ·MOCVD系统简介第20-23页
   ·量子点样品测试方法第23-26页
     ·透射电子显微镜(TEM)第23-24页
     ·原子力显微镜(AFM)第24页
     ·光致发光技术(PL)第24-26页
   ·本章小结第26-27页
 参考文献第27-29页
第三章 InAs/GaAs自组织量子点生长与特性研究第29-53页
   ·引言第29页
   ·量子点生长速度测定和校准第29-32页
   ·InAs/GaAs自组织量子点生长实验第32-36页
   ·InAs/GaAs自组织量子点形貌及光学特性结果分析第36-50页
     ·生长参数对量子点形貌特性的影响第37-42页
     ·In_xGa_(1-x)As层对InAs/GaAs自组织量子点的特性影响研究第42-50页
   ·本章小结第50-51页
 参考文献第51-53页
第四章 硼对InAs/GaAs自组织量子点特性影响分析第53-62页
   ·BInAs/GaAs自组织量子点表面形貌分析第53-57页
   ·BInAs/GaAs自组织量子点光学特性分析第57-60页
   ·本章小结第60-61页
 参考文献第61-62页
致谢第62-63页
攻读学位期间发表的论文题目第63页

论文共63页,点击 下载论文
上一篇:InAs/GaAs自组织量子点异质结构的MOCVD生长及特性研究
下一篇:量子通信网络结构与协议研究及光突发交换网络信道调度算法的仿真