摘要 | 第1-6页 |
ABSTRACT | 第6-9页 |
第一章 绪论 | 第9-17页 |
·研究背景及意义 | 第9-14页 |
·研究背景 | 第9-12页 |
·研究意义 | 第12-14页 |
·论文的主要工作内容 | 第14-15页 |
参考文献 | 第15-17页 |
第二章 InAs/GaAs量子点异质结构的生长理论 | 第17-29页 |
·应变自组织InAs/GaAs量子点 | 第17-20页 |
·InAs/GaAs量子点性能表征及其测量 | 第20-24页 |
·金属有机物化学气相沉积生长技术 | 第24-25页 |
·本章总结 | 第25-27页 |
参考文献 | 第27-29页 |
第三章 单层InAs/GaAs量子点异质结构的生长研究 | 第29-47页 |
·实验系统及样品结构简介 | 第29-31页 |
·生长参数对InAs/GaAs量子点性能的影响 | 第31-42页 |
·生长温度的影响 | 第32-35页 |
·生长速率的影响 | 第35-36页 |
·Ⅴ/Ⅲ比值的影响 | 第36-38页 |
·生长暂停(GRI)的影响 | 第38-40页 |
·沉积厚度的影响 | 第40-42页 |
·1.3μm InAs/GaAs量子点的生长实验 | 第42-44页 |
·本章小结 | 第44-45页 |
参考文献 | 第45-47页 |
第四章 多层及掺硼InAs/GaAs量子点异质结构 | 第47-57页 |
·InAs量子点多层结构生长理论 | 第47-49页 |
·InAs量子点多层结构的实验探索 | 第49-53页 |
·B元素并入的影响 | 第53-55页 |
·本章小结 | 第55-56页 |
参考文献 | 第56-57页 |
致谢 | 第57-58页 |
攻读硕士学位期间发表的论文 | 第58页 |