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InAs/GaAs自组织量子点异质结构的MOCVD生长及特性研究

摘要第1-6页
ABSTRACT第6-9页
第一章 绪论第9-17页
   ·研究背景及意义第9-14页
     ·研究背景第9-12页
     ·研究意义第12-14页
   ·论文的主要工作内容第14-15页
 参考文献第15-17页
第二章 InAs/GaAs量子点异质结构的生长理论第17-29页
   ·应变自组织InAs/GaAs量子点第17-20页
   ·InAs/GaAs量子点性能表征及其测量第20-24页
   ·金属有机物化学气相沉积生长技术第24-25页
   ·本章总结第25-27页
 参考文献第27-29页
第三章 单层InAs/GaAs量子点异质结构的生长研究第29-47页
   ·实验系统及样品结构简介第29-31页
   ·生长参数对InAs/GaAs量子点性能的影响第31-42页
     ·生长温度的影响第32-35页
     ·生长速率的影响第35-36页
     ·Ⅴ/Ⅲ比值的影响第36-38页
     ·生长暂停(GRI)的影响第38-40页
     ·沉积厚度的影响第40-42页
   ·1.3μm InAs/GaAs量子点的生长实验第42-44页
   ·本章小结第44-45页
 参考文献第45-47页
第四章 多层及掺硼InAs/GaAs量子点异质结构第47-57页
   ·InAs量子点多层结构生长理论第47-49页
   ·InAs量子点多层结构的实验探索第49-53页
   ·B元素并入的影响第53-55页
   ·本章小结第55-56页
 参考文献第56-57页
致谢第57-58页
攻读硕士学位期间发表的论文第58页

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