| 中文摘要 | 第1-5页 |
| 英文摘要 | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第6-13页 |
| 1．1 研究背景和意义 | 第6-7页 |
| 1．2 已开展的工作 | 第7-9页 |
| 1．3 影响膜结构因素 | 第9-11页 |
| 1．3．1 偏压 | 第9-10页 |
| 1．3．2 F/C比 | 第10页 |
| 1．3．3 沉积温度 | 第10页 |
| 1．3．4 热处理 | 第10页 |
| 1．3．5 等离子体处理 | 第10-11页 |
| 1．4 a-C:F,H薄膜的应用前景及待解决问题 | 第11页 |
| 1．5 本文的研究思路及内容 | 第11-12页 |
| 参考文献 | 第12-13页 |
| 第二章 a-C:F,H薄膜的制备方法 | 第13-20页 |
| 2．1 引言 | 第13页 |
| 2．2 实验原理 | 第13-15页 |
| 2．3 实验装置 | 第15-17页 |
| 2．4 源气体的选取 | 第17页 |
| 2．5 基片的处理 | 第17页 |
| 2．6 样品的制备过程 | 第17-18页 |
| 2．7 实验参数 | 第18页 |
| 2．8 样品制备的现象分析 | 第18-19页 |
| 参考文献 | 第19-20页 |
| 第三章 a-C:F,H薄膜的表征 | 第20-29页 |
| 3．1 a-C:F,H膜的膜厚测量 | 第20页 |
| 3．2 傅立叶变换红外光谱分析（FTIR） | 第20-21页 |
| 3．3 X射线光电子能谱分析（XPS） | 第21-23页 |
| 3．4 紫外可见光光度计（UV-VIS）测试 | 第23-25页 |
| 3．5 电学性能测试 | 第25页 |
| 3．6 气体放电的发射光谱分析（OES） | 第25-26页 |
| 3．7 X射线衍射（XRD）分析和透射电子显微镜（TEM） | 第26-27页 |
| 3．8 小结 | 第27-28页 |
| 参考文献 | 第28-29页 |
| 第四章 a-C:F,H膜的沉积速率、键结构与前驱基团 | 第29-38页 |
| 4．1 a-C:F,H膜的沉积速率 | 第29-32页 |
| 4．2 a-C:F,H膜的键结构 | 第32-34页 |
| 4．3 ECR-CVD沉积a-C:F,H膜的前驱基团 | 第34-37页 |
| 参考文献 | 第37-38页 |
| 第五章 a-C:F,H薄膜的光学带隙和伏安特性 | 第38-45页 |
| 5．1 引言 | 第38页 |
| 5．2 光学带隙 | 第38-39页 |
| 5．3 伏安特性 | 第39-44页 |
| 5．4 小结 | 第44页 |
| 参考文献 | 第44-45页 |
| 第六章 总结 | 第45-46页 |
| 附录 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47页 |
