| 中文摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-26页 |
| ·厚膜电路 | 第8-12页 |
| ·厚膜电路技术概论 | 第8-9页 |
| ·厚膜材料 | 第9-11页 |
| ·厚膜混合集成电路制造工艺 | 第11-12页 |
| ·混合集成电路 | 第12-13页 |
| ·MCM多层基板 | 第13-17页 |
| ·多芯片组件的定义及其发展应用 | 第13-14页 |
| ·MCM多层互联基板 | 第14-15页 |
| ·MCM的发展及国内外现状 | 第15-16页 |
| ·运用厚膜混合集成电路实现MCM的优势及应用 | 第16页 |
| ·未来发展前景及发展趋势 | 第16-17页 |
| ·LTCC低温共烧技术 | 第17-26页 |
| ·LTCC技术的概念 | 第17-18页 |
| ·LTCC技术的应用 | 第18页 |
| ·发展LTCC技术的四大关键 | 第18-19页 |
| ·应用LTCC技术制造MCM | 第19-20页 |
| ·LTCC的技术优点 | 第20-22页 |
| ·LTCC技术的局限性 | 第22-23页 |
| ·LTCC基板材料的发展历程及国内外研究现状 | 第23-24页 |
| ·电子元件发展的需要 | 第24-26页 |
| 第二章 实验系统的确定 | 第26-33页 |
| ·陶瓷主晶相的研究 | 第26-27页 |
| ·BaO-Nd_2O_3-TiO_2系统的研究成果 | 第27-28页 |
| ·添加剂的引入 | 第28-29页 |
| ·玻璃添加剂的研究 | 第29-31页 |
| ·课题系统的确定 | 第31-33页 |
| 第三章 实验工艺的研究与测试 | 第33-39页 |
| ·工艺流程图 | 第33-37页 |
| ·样品测试 | 第37-39页 |
| 第四章 在BaO-Nd_2O_3-TiO_2系统中添加BZB玻璃的研究 | 第39-55页 |
| ·BNT陶瓷相的研究 | 第39-41页 |
| ·不同形式的BNT+BZB玻璃试验 | 第41-44页 |
| ·BZB玻璃添加剂 | 第44-45页 |
| ·添加BZB玻璃对BNT系统的影响 | 第45-49页 |
| ·工艺因素对介电性能的影响 | 第49-54页 |
| ·预烧温度的确定 | 第49-51页 |
| ·球磨时间对系统性能的影响 | 第51页 |
| ·烧结温度与保温时间对系统性能的影响 | 第51-53页 |
| ·温度变化对系统介电性能的影响 | 第53-54页 |
| ·结论 | 第54-55页 |
| 第五章 在BaO-Nd_2O_3-TiO_2系统中添加GE玻璃的研究 | 第55-62页 |
| ·BNT系统中添加GE玻璃的研究 | 第55-58页 |
| ·不同比例的 GE 玻璃添加到 BNT+BZB 体系中 | 第58-60页 |
| ·本章总结 | 第60-62页 |
| 第六章 结论及展望 | 第62-64页 |
| ·添加BZB玻璃 | 第62页 |
| ·添加GE玻璃 | 第62-63页 |
| ·课题展望 | 第63-64页 |
| 参考文献 | 第64-68页 |
| 发表论文和科研情况说明 | 第68-69页 |
| 致谢 | 第69页 |
