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O2等离子体处理控制多孔SiOCH薄膜中的Cu扩散

中文摘要第1-4页
Abstract第4-7页
第一章 绪论第7-12页
   ·研究背景第7-10页
   ·本课题组的主要研究内容第10-11页
   ·本文的研究内容第11-12页
第二章 实验样品的制备及性能表征方法第12-24页
   ·SiCOH 薄膜的制备第12-16页
     ·微波电子回旋共振等离子体原理简介第12-13页
     ·微波ECR-CVD 沉积系统第13-14页
     ·实验参数第14-16页
   ·SiCOH 薄膜的O_2 等离子体处理第16页
   ·Cu 薄膜的制备与热应力(thermal stress)实验第16-17页
   ·电容-电压(C-V)、电流-电压(I-V)分析第17-18页
   ·SiCOH 薄膜结构的傅立叶变换红外光谱表征方法第18-21页
   ·SiCOH 薄膜表面形貌的原子力显微镜表征第21-24页
第三章 SiCOH 薄膜中的Cu 扩散分析第24-31页
   ·Cu/SiCOH/Si 体系的漏电流分析第24-26页
   ·Cu/SiCOH/Si 体系的C-V 分析与平带电压漂移第26-29页
   ·Cu/SiCOH/Si 体系的热应力实验与激活能分析第29-31页
第四章 Cu 扩散降低的SiCOH 薄膜结构关联第31-34页
   ·Cu 扩散的降低与SiCOH 薄膜键结构的关系第31-32页
   ·Cu 扩散的降低与薄膜表面形貌的关系第32-34页
第五章 结论第34-36页
   ·本文的主要结果第34页
   ·存在的主要问题和进一步的研究方向第34-36页
参考文献第36-41页
攻读学位期间公开发表论文第41-42页
致谢第42-43页
详细摘要第43-45页

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