摘要 | 第1-5页 |
Abstract | 第5-14页 |
1 综述 | 第14-44页 |
·引言 | 第14-15页 |
·巨磁电阻效应 | 第15-18页 |
·巨磁电阻效应的发现 | 第15-16页 |
·巨磁电阻效应的产生机制 | 第16-17页 |
·巨磁电阻效应的研究现状 | 第17-18页 |
·隧穿磁电阻效应 | 第18-28页 |
·隧穿磁电阻效应的发现 | 第18页 |
·隧穿磁电阻效应的产生机制及影响因素 | 第18-20页 |
·颗粒膜隧穿磁电阻效应 | 第20-26页 |
·颗粒膜隧穿磁电阻效应的发现 | 第20-21页 |
·绝缘体颗粒膜体系的磁电阻理论 | 第21页 |
·颗粒膜隧穿磁电阻与温度的关系 | 第21-23页 |
·绝缘体颗粒膜的电输运机制 | 第23-26页 |
·不连续金属/绝缘体颗粒多层膜的隧穿磁电阻效应 | 第26-28页 |
·磁性金属/半导体薄膜中的磁电阻效应 | 第28-33页 |
·半导体势垒层隧道结中磁电阻效应 | 第28-29页 |
·磁性金属/半导体纳米复合薄膜的磁电阻效应 | 第29-31页 |
·金属/半导体界面磁性半导体的自旋过滤效应 | 第31-33页 |
·自旋过滤效应的定义 | 第31-32页 |
·自旋过滤效应在半导体自旋注入中的研究现状 | 第32-33页 |
·本论文的思路和工作安排 | 第33-34页 |
参考文献 | 第34-44页 |
2 薄膜样品的制备及分析测试 | 第44-60页 |
·前言 | 第44页 |
·薄膜样品的制备 | 第44-49页 |
·基片的清洗 | 第44-45页 |
·磁控溅射制备样品 | 第45-49页 |
·溅射现象 | 第45-46页 |
·磁控溅射 | 第46-47页 |
·溅射参数 | 第47页 |
·JGP560CC 型三室超高真空多功能溅射系统 | 第47-48页 |
·薄膜制备 | 第48页 |
·薄膜后期退火 | 第48-49页 |
·薄膜的结构和成分测试 | 第49-54页 |
·薄膜的厚度测量 | 第49页 |
·X 射线衍射分析 | 第49-50页 |
·X 射线光电子能谱 | 第50-52页 |
·透射电子显微镜 | 第52-54页 |
·薄膜的磁性、电输运和光学性能的测试 | 第54-58页 |
·振动样品磁强计 | 第54页 |
·MPMS 高精度磁学测量系统 | 第54-56页 |
·薄膜光学性能的测定 | 第56-57页 |
·薄膜电输运性质的测试 | 第57-58页 |
参考文献 | 第58-60页 |
3 不同 ZnO 含量 Co/ZnO 薄膜的结构、磁性和磁电阻效 | 第60-76页 |
·引言 | 第60-61页 |
·实验过程 | 第61页 |
·结果和讨论 | 第61-70页 |
·薄膜的结构分析 | 第61-64页 |
·薄膜的磁性分析 | 第64-66页 |
·薄膜的光学性质 | 第66-67页 |
·薄膜的磁电阻效应和电输运性质 | 第67-70页 |
·本章小结 | 第70-71页 |
参考文献 | 第71-76页 |
4 Co/M [M=ZnO、Al_2O_3、C、Cu]薄膜磁电阻效应的比较研究 | 第76-88页 |
·引言 | 第76页 |
·实验过程 | 第76-77页 |
·结果和讨论 | 第77-84页 |
·薄膜的结构 | 第77-78页 |
·薄膜的磁性 | 第78-80页 |
·薄膜的电阻特性和磁电阻效应 | 第80-84页 |
·本章小结 | 第84页 |
参考文献 | 第84-88页 |
5 掺杂 Al 对 Co/ZnO 薄膜磁性和自旋注入的影响 | 第88-100页 |
·引言 | 第88-89页 |
·实验过程 | 第89页 |
·结果和讨论 | 第89-95页 |
·薄膜的结构 | 第89-90页 |
·薄膜的磁性 | 第90-92页 |
·薄膜的磁电阻效应和自旋电子注入 | 第92-95页 |
·本章小结 | 第95页 |
参考文献 | 第95-100页 |
6 Co/ZnO 薄膜室温磁电阻效应对薄膜电阻的依赖性 | 第100-112页 |
·引言 | 第100页 |
·实验过程 | 第100-101页 |
·结果和讨论 | 第101-108页 |
·薄膜的室温磁电阻效应对电阻的依赖关系 | 第101-103页 |
·薄膜的结构 | 第103-105页 |
·薄膜的磁性 | 第105-107页 |
·薄膜的电输运性质 | 第107-108页 |
·本章小结 | 第108-109页 |
参考文献 | 第109-112页 |
7 结论 | 第112-114页 |
论文创新点 | 第114-115页 |
致谢 | 第115-116页 |
攻读学位期间发表的论文 | 第116-117页 |