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Co与ZnO半导体等复合膜磁电阻效应及自旋注入的研究

摘要第1-5页
Abstract第5-14页
1 综述第14-44页
   ·引言第14-15页
   ·巨磁电阻效应第15-18页
     ·巨磁电阻效应的发现第15-16页
     ·巨磁电阻效应的产生机制第16-17页
     ·巨磁电阻效应的研究现状第17-18页
   ·隧穿磁电阻效应第18-28页
     ·隧穿磁电阻效应的发现第18页
     ·隧穿磁电阻效应的产生机制及影响因素第18-20页
     ·颗粒膜隧穿磁电阻效应第20-26页
       ·颗粒膜隧穿磁电阻效应的发现第20-21页
       ·绝缘体颗粒膜体系的磁电阻理论第21页
       ·颗粒膜隧穿磁电阻与温度的关系第21-23页
       ·绝缘体颗粒膜的电输运机制第23-26页
     ·不连续金属/绝缘体颗粒多层膜的隧穿磁电阻效应第26-28页
   ·磁性金属/半导体薄膜中的磁电阻效应第28-33页
     ·半导体势垒层隧道结中磁电阻效应第28-29页
     ·磁性金属/半导体纳米复合薄膜的磁电阻效应第29-31页
     ·金属/半导体界面磁性半导体的自旋过滤效应第31-33页
       ·自旋过滤效应的定义第31-32页
       ·自旋过滤效应在半导体自旋注入中的研究现状第32-33页
   ·本论文的思路和工作安排第33-34页
 参考文献第34-44页
2 薄膜样品的制备及分析测试第44-60页
   ·前言第44页
   ·薄膜样品的制备第44-49页
     ·基片的清洗第44-45页
     ·磁控溅射制备样品第45-49页
       ·溅射现象第45-46页
       ·磁控溅射第46-47页
       ·溅射参数第47页
       ·JGP560CC 型三室超高真空多功能溅射系统第47-48页
       ·薄膜制备第48页
       ·薄膜后期退火第48-49页
   ·薄膜的结构和成分测试第49-54页
     ·薄膜的厚度测量第49页
     ·X 射线衍射分析第49-50页
     ·X 射线光电子能谱第50-52页
     ·透射电子显微镜第52-54页
   ·薄膜的磁性、电输运和光学性能的测试第54-58页
     ·振动样品磁强计第54页
     ·MPMS 高精度磁学测量系统第54-56页
     ·薄膜光学性能的测定第56-57页
     ·薄膜电输运性质的测试第57-58页
 参考文献第58-60页
3 不同 ZnO 含量 Co/ZnO 薄膜的结构、磁性和磁电阻效第60-76页
   ·引言第60-61页
   ·实验过程第61页
   ·结果和讨论第61-70页
     ·薄膜的结构分析第61-64页
     ·薄膜的磁性分析第64-66页
     ·薄膜的光学性质第66-67页
     ·薄膜的磁电阻效应和电输运性质第67-70页
   ·本章小结第70-71页
 参考文献第71-76页
4 Co/M [M=ZnO、Al_2O_3、C、Cu]薄膜磁电阻效应的比较研究第76-88页
   ·引言第76页
   ·实验过程第76-77页
   ·结果和讨论第77-84页
     ·薄膜的结构第77-78页
     ·薄膜的磁性第78-80页
     ·薄膜的电阻特性和磁电阻效应第80-84页
   ·本章小结第84页
 参考文献第84-88页
5 掺杂 Al 对 Co/ZnO 薄膜磁性和自旋注入的影响第88-100页
   ·引言第88-89页
   ·实验过程第89页
   ·结果和讨论第89-95页
     ·薄膜的结构第89-90页
     ·薄膜的磁性第90-92页
     ·薄膜的磁电阻效应和自旋电子注入第92-95页
   ·本章小结第95页
 参考文献第95-100页
6 Co/ZnO 薄膜室温磁电阻效应对薄膜电阻的依赖性第100-112页
   ·引言第100页
   ·实验过程第100-101页
   ·结果和讨论第101-108页
     ·薄膜的室温磁电阻效应对电阻的依赖关系第101-103页
     ·薄膜的结构第103-105页
     ·薄膜的磁性第105-107页
     ·薄膜的电输运性质第107-108页
   ·本章小结第108-109页
 参考文献第109-112页
7 结论第112-114页
论文创新点第114-115页
致谢第115-116页
攻读学位期间发表的论文第116-117页

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