ZAO透明导电薄膜的制备与特性研究
| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第一章 绪论 | 第8-19页 |
| ·透明导电氧化物(TCO)薄膜概述 | 第8-9页 |
| ·TCO薄膜的研究现状及应用 | 第9-11页 |
| ·SnO_2薄膜及其掺杂体系 | 第9-10页 |
| ·In_2O_3薄膜及其掺杂体系 | 第10-11页 |
| ·ZnO薄膜及其掺杂体系 | 第11页 |
| ·ZnO及ZnO:Al(ZAO)薄膜的结构特性 | 第11-13页 |
| ·ZnO薄膜的晶体结构 | 第11-12页 |
| ·ZAO薄膜的结构特性 | 第12-13页 |
| ·ZAO透明导电薄膜的研究现状及应用 | 第13-17页 |
| ·国内外研究现状与水平 | 第13-14页 |
| ·ZAO透明导电薄膜的应用现状及前景 | 第14-17页 |
| ·本课题的研究意义、目的及内容 | 第17-19页 |
| ·研究意义和目的 | 第17-18页 |
| ·研究内容 | 第18-19页 |
| 第二章 ZAO薄膜的制备及表征方法 | 第19-32页 |
| ·ZAO薄膜的制备 | 第19-25页 |
| ·磁控溅射制备原理 | 第19-21页 |
| ·TXZ550-I磁控溅射镀膜机简介 | 第21-22页 |
| ·ZAO薄膜的制备流程 | 第22-24页 |
| ·磁控溅射制备ZAO薄膜的实验方案 | 第24页 |
| ·快速热退火处理 | 第24-25页 |
| ·ZAO薄膜的表征方法 | 第25-32页 |
| ·原子力显微镜(AFM) | 第26页 |
| ·EDS能谱仪 | 第26-27页 |
| ·X射线衍射(XRD) | 第27-29页 |
| ·紫外-可见光分光光度计 | 第29页 |
| ·霍尔效应测试 | 第29-32页 |
| 第三章 工艺参数对ZAO薄膜结构特性的影响 | 第32-43页 |
| ·工艺参数对沉积速率的影响 | 第32-35页 |
| ·溅射气压对ZAO薄膜沉积速率的影响 | 第32-34页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜沉积速率的影响 | 第34-35页 |
| ·工艺参数对薄膜成分的影响 | 第35-36页 |
| ·工艺参数对表面形貌的影响 | 第36-40页 |
| ·溅射气压对ZAO薄膜表面形貌的影响 | 第36-38页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜表面形貌的影响 | 第38-40页 |
| ·工艺参数对晶体结构的影响 | 第40-42页 |
| ·溅射气压对ZAO薄膜晶体结构的影响 | 第40-41页 |
| ·溅射功率对ZAO薄膜晶体结构的影响 | 第41-42页 |
| ·本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 ZAO薄膜光电特性及机理研究 | 第43-57页 |
| ·ZAO薄膜光学特性分析 | 第43-48页 |
| ·不同工艺条件下透过率的变化 | 第43-45页 |
| ·光学带隙的移动分析 | 第45-48页 |
| ·ZAO薄膜电学特性分析 | 第48-53页 |
| ·未掺杂ZnO薄膜导电性分析 | 第48-49页 |
| ·ZAO薄膜导电性分析 | 第49-53页 |
| ·ZAO薄膜导电机制研究 | 第53-55页 |
| ·本章小结 | 第55-57页 |
| 第五章 结论 | 第57-59页 |
| 参考文献 | 第59-69页 |
| 致谢 | 第69-70页 |
| 攻读学位期间主要的研究成果 | 第70页 |
