FBAR用AlN薄膜的MOCVD制备
| 摘要 | 第1-6页 |
| ABSTRACT | 第6-11页 |
| 第一章 绪论 | 第11-21页 |
| ·引言 | 第11页 |
| ·薄膜体声波谐振器 | 第11-12页 |
| ·薄膜体声波谐振器材料的选择 | 第12-14页 |
| ·ALN 的晶体结构、性能及用途 | 第14-15页 |
| ·AlN 的晶体结构 | 第14-15页 |
| ·AlN 的性质及用途 | 第15页 |
| ·ALN 薄膜的国内外研究成果和现状 | 第15-16页 |
| ·AlN 薄膜研究进展 | 第15-16页 |
| ·AlN 薄膜取向生长影响因素的研究 | 第16页 |
| ·AlN 薄膜的取向生长模型 | 第16页 |
| ·ALN 薄膜的生长方法 | 第16-20页 |
| ·分子束外延（MBE） | 第16-17页 |
| ·金属有机物化学气相沉积（MOCVD） | 第17-18页 |
| ·脉冲激光沉积（PLD） | 第18-19页 |
| ·溅射法 | 第19-20页 |
| ·本论文研究目的与研究方案 | 第20-21页 |
| 第二章 实验设备与样品的表征技术 | 第21-32页 |
| ·引言 | 第21页 |
| ·ALN 薄膜的制备 | 第21-25页 |
| ·MOCVD 系统简介 | 第21-23页 |
| ·有机源的选择 | 第23-24页 |
| ·基片的准备 | 第24-25页 |
| ·AlN 薄膜的沉积过程 | 第25页 |
| ·MO 薄膜与ZRN 薄膜的制备 | 第25-27页 |
| ·镀膜设备 | 第25-26页 |
| ·磁控溅射的原理 | 第26-27页 |
| ·薄膜微观结构表征方法 | 第27-29页 |
| ·X-射线衍射分析 | 第27页 |
| ·原子力显微镜 | 第27-28页 |
| ·扫描电子显微镜 | 第28-29页 |
| ·薄膜性能测试方法 | 第29-32页 |
| ·光学性能测试 | 第29页 |
| ·介电性能测试 | 第29页 |
| ·压电应变系数测试 | 第29-30页 |
| ·电阻率测试（四探针） | 第30-32页 |
| 第三章 蓝宝石单晶基片上氮化铝薄膜的制备研究 | 第32-46页 |
| ·ALN 薄膜的制备 | 第32-44页 |
| ·AlN 薄膜低温缓冲层的生长 | 第32-33页 |
| ·AlN 薄膜的高温生长 | 第33-44页 |
| ·本章小结 | 第44-46页 |
| 第四章 MO/SI 衬底上氮化铝薄膜的制备研究 | 第46-55页 |
| ·MO 薄膜的制备 | 第46-47页 |
| ·MO/SI 衬底上ALN 薄膜的制备 | 第47-52页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜结构的影响 | 第48-49页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜介电性能的影响 | 第49-51页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜压电性能的影响 | 第51-52页 |
| ·FBAR 的试制 | 第52-54页 |
| ·本章小结 | 第54-55页 |
| 第五章 ZRN/SI 衬底上氮化铝薄膜的制备研究 | 第55-66页 |
| ·底电极ZRN 薄膜的制备 | 第56-60页 |
| ·氮分压对ZrN 薄膜的影响 | 第56-58页 |
| ·衬底温度对ZrN 薄膜的影响 | 第58-60页 |
| ·小结 | 第60页 |
| ·ZRN/SI 衬底上ALN 薄膜的制备 | 第60-64页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜微结构的影响 | 第60-62页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜介电性能的影响 | 第62-64页 |
| ·衬底温度对AlN 薄膜压电性能的影响 | 第64页 |
| ·本章小结 | 第64-66页 |
| 第六章 主要结论与创新点 | 第66-67页 |
| 致谢 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-73页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第73-74页 |
