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基于新型半导体的太赫兹波调制技术及其传感应用

摘要第5-7页
ABSTRACT第7-9页
第一章 绪论第14-28页
    1.1 课题研究背景及意义第14-15页
    1.2 太赫兹相关技术简介第15-16页
    1.3 太赫兹调控技术简介第16-19页
    1.4 石墨烯在太赫兹波调制器件中应用的研究现状第19-23页
    1.5 基于石墨烯的太赫兹传感技术简介第23-26页
        1.5.1 基于石墨烯等离子体共振的THz传感器研究现状第23-25页
        1.5.2 基于石墨烯的等离子体诱导透明现象在传感应用的研究现状第25-26页
    1.6 论文内容及章节安排第26-28页
第二章 太赫兹系统及半导体应用机理第28-40页
    2.1 引言第28页
    2.2 太赫兹时域光谱系统第28-30页
    2.3 石墨烯相关性质及其与太赫兹波相互作用的模型第30-37页
        2.3.1 石墨烯的结构及性质第30-32页
        2.3.2 石墨烯掺杂第32-35页
        2.3.3 石墨烯转移第35页
        2.3.4 石墨烯界面THz波传输模型第35-37页
    2.4 硅基半导体第37-38页
    2.5 小结第38-40页
第三章 基于石墨烯的太赫兹调制器第40-60页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 石墨烯场效应管的制备第41页
    3.3 Al_2O_3-石墨烯-SiO_2-Si构型太赫兹波调制器第41-43页
    3.4 基于石墨烯场效应管的双模太赫兹调制器第43-58页
        3.4.1 调制器件所涉及的基本原理第43-46页
        3.4.2 脉冲调制模式性能分析第46-55页
        3.4.3 单频连续光调制模式性能分析第55-58页
    3.5 小结第58-60页
第四章 基于硅基半导体的太赫兹波调制器第60-76页
    4.1 引言第60页
    4.2 原理和结构第60-64页
        4.2.1 硬击穿和软击穿原理第60-63页
        4.2.2 硅基半导体太赫兹调制器结构和原理第63-64页
    4.3 原理验证第64-65页
    4.4 电压软击穿透射式测试第65-71页
    4.5 光泵浦对软击穿状态下SiO_2-Si太赫兹调制器件性能的影响第71-74页
    4.6 小结第74-76页
第五章 基于石墨烯超材料的太赫兹传感器第76-97页
    5.1 引言第76-77页
    5.2 PIT谐振机理第77-79页
        5.2.1 明-暗模PIT谐振机理第77页
        5.2.2 明-明模PIT谐振机理第77-78页
        5.2.3 双耦合振动模型第78-79页
    5.3 PIT谐振传感应用分析第79-81页
        5.3.1 折射率识别原理第79-80页
        5.3.2 特异性识别原理第80页
        5.3.3 传感器性能参数第80-81页
    5.4 太赫兹波石墨烯超材料传感器设计第81-89页
        5.4.1 结构设计第81-82页
        5.4.2 仿真模型第82-83页
        5.4.3 结构优化第83-85页
        5.4.4 传感器物理机制分析第85-89页
    5.5 传感器性能分析第89-91页
        5.5.1 分析物厚度传感性能分析第89-90页
        5.5.2 折射率传感性能分析第90页
        5.5.3 分析物厚度和折射率传感性能第90-91页
    5.6 太赫兹波调制性能及其在特异性传感的应用第91-96页
        5.6.1 石墨烯超材料传感器的调谐机制第91-93页
        5.6.2 石墨烯超材料传感器在特异性传感上的应用第93-96页
    5.7 小结第96-97页
第六章 总结与展望第97-100页
    6.1 总结第97-98页
    6.2 展望第98-100页
参考文献第100-109页
致谢第109-111页
在读期间发表的学术论文与取得的其他研究成果第111页

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