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基于不同工艺的宽带高增益毫米波太赫兹天线研究

摘要第4-6页
ABSTRACT第6-8页
第一章 绪论第11-27页
    1.1 研究工作的背景与意义第11-12页
    1.2 国内外研究现状第12-23页
        1.2.1 毫米波天线研究现状第12-21页
        1.2.2 太赫兹天线研究现状第21-23页
    1.3 论文的主要创新点第23-24页
    1.4 本论文的主要内容和结构安排第24-27页
第二章 基于微机械工艺毫米波高增益天线阵研究第27-45页
    2.1 引言第27页
    2.2 基于微机械工艺的的60-GHz高增益线极化天线阵研究第27-36页
        2.2.1 天线单元设计第27-33页
        2.2.2 2×2天线阵列设计第33-36页
    2.3 基于微机械工艺的的60-GHz宽带、高增益圆极化天线阵研究第36-43页
        2.3.1 圆极化天线单元设计第36-40页
        2.3.2 2×2圆极化天线阵列设计第40-43页
    2.4 本章小结第43-45页
第三章 基于PCB工艺的毫米波宽带、高增益SIW天线阵的研究第45-78页
    3.1 引言第45页
    3.2 SIW宽带、高增益磁电偶极子天线阵列第45-60页
        3.2.1 SIW磁电偶极子天线单元设计及原理分析第45-51页
        3.2.2 2×2天线子阵第51-54页
        3.2.3 8×8天线阵列第54-56页
        3.2.4 8×8天线阵列测试结果与分析第56-60页
    3.3 SIW宽带、高增益十字形金属腔体加载天线阵列第60-76页
        3.3.1 SIW馈电十字形金属腔体加载天线单元设计及原理分析第60-66页
        3.3.2 2×2天线子阵第66-69页
        3.3.3 4×4天线阵列第69-71页
        3.3.4 4×4天线阵列测试结果与分析第71-76页
    3.4 本章小结第76-78页
第四章 基于硅工艺的高效、高集成太赫兹在片天线研究第78-100页
    4.1 引言第78页
    4.2 基于硅工艺的260-GHz SIW背腔缝隙天线第78-91页
        4.2.1 基于硅工艺的260-GHz SIW背腔单缝隙天线第78-83页
        4.2.2 基于硅工艺的260-GHz SIW背腔双缝隙天线第83-88页
        4.2.3 天线加工测试与结果分析第88-91页
    4.3 基于硅工艺的340-GHz SIW背腔贴片天线第91-99页
        4.3.1 天线设计与分析第91-96页
        4.3.2 天线加工测试与结果分析第96-99页
    4.4 本章小结第99-100页
第五章 基于LTCC工艺的宽带、高增益太赫兹天线阵研究第100-120页
    5.1 引言第100页
    5.2 2×2天线子阵设计与分析第100-109页
        5.2.1 2×2天线子阵结构第100-102页
        5.2.2 2×2天线子阵仿真与分析第102-109页
    5.3 8×8天线阵列第109-117页
        5.3.1 8×8天线阵列设计与仿真第109-114页
        5.3.2 8×8天线阵列测试结果与分析第114-117页
    5.4 本章小结第117-120页
第六章 全文总结与展望第120-122页
    6.1 全文主要研究工作总结第120-121页
    6.2 后续研究工作展望第121-122页
参考文献第122-136页
致谢第136-137页
作者攻读学位期间发表的学术论文目录第137页

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