| 摘要 | 第4-6页 |
| ABSTRACT | 第6-9页 |
| 第一章 绪论 | 第13-23页 |
| 1.1 课题研究背景 | 第13-14页 |
| 1.2 SiC单晶基片的研磨研究现状 | 第14-17页 |
| 1.2.1 游离磨料研磨 | 第14-16页 |
| 1.2.2 固结磨料研磨 | 第16-17页 |
| 1.3 摩擦化学机械抛光 | 第17-19页 |
| 1.3.1 摩擦化学机械抛光概念 | 第17-18页 |
| 1.3.2 传统摩擦化学机械抛光 | 第18-19页 |
| 1.3.3 固结磨料摩擦化学机械研磨法的提出 | 第19页 |
| 1.4 课题来源及主要研究内容 | 第19-20页 |
| 1.4.1 课题来源 | 第19页 |
| 1.4.2 主要研究内容 | 第19-20页 |
| 1.5 本章小结 | 第20-23页 |
| 第二章 试验条件与方法 | 第23-29页 |
| 2.1 研磨试验条件 | 第23-27页 |
| 2.1.1 研磨试验台 | 第23-24页 |
| 2.1.2 试验样件 | 第24-25页 |
| 2.1.3 SiC样件的检测 | 第25-27页 |
| 2.2 研磨试验与研究方法 | 第27-28页 |
| 2.2.1 游离磨料研磨SiC单晶片研磨膏设计 | 第27页 |
| 2.2.2 固结磨料研磨SiC单晶片研磨盘设计 | 第27-28页 |
| 2.2.3 固结磨料研磨SiC单晶片工艺参数优化 | 第28页 |
| 2.2.4 研磨试验数据处理 | 第28页 |
| 2.3 本章小结 | 第28-29页 |
| 第三章 单晶SiC基片游离磨料摩擦化学机械研磨研究 | 第29-41页 |
| 3.1 研磨膏基本成分的选择 | 第29-30页 |
| 3.2 研磨膏中氧化剂对研磨效果的影响 | 第30-33页 |
| 3.2.1 试验方案 | 第30-31页 |
| 3.2.2 试验结果与分析 | 第31-33页 |
| 3.3 研磨膏中磨粒粒径对研磨效果的影响 | 第33-37页 |
| 3.3.1 试验方案 | 第33-34页 |
| 3.3.2 试验结果与分析 | 第34-37页 |
| 3.4 研磨膏主要成分作用分析 | 第37-40页 |
| 3.5 研磨膏配方设计 | 第40页 |
| 3.6 本章小结 | 第40-41页 |
| 第四章 单晶SiC基片固结磨料摩擦化学机械研磨研究 | 第41-55页 |
| 4.1 固结磨料研磨盘设计 | 第41-44页 |
| 4.1.1 成分确定 | 第41-42页 |
| 4.1.2 助研剂含量确定 | 第42-44页 |
| 4.2 固结磨料研磨SiC单晶片工艺参数研究 | 第44-51页 |
| 4.2.1 试验方案 | 第44页 |
| 4.2.2 试验结果与分析 | 第44-51页 |
| 4.3 固结磨料研磨盘与研磨膏研磨结果对比 | 第51-53页 |
| 4.3.1 试验方案 | 第51页 |
| 4.3.2 试验结果与分析 | 第51-53页 |
| 4.4 本章小结 | 第53-55页 |
| 第五章 固结磨料摩擦化学机械研磨机理研究 | 第55-67页 |
| 5.1 摩擦化学反应 | 第55-59页 |
| 5.1.1 试验方案 | 第55-56页 |
| 5.1.2 SEM试验结果与分析 | 第56-57页 |
| 5.1.3 XRD试验结果与分析 | 第57-59页 |
| 5.2 材料去除模型 | 第59-65页 |
| 5.2.1 试验方案 | 第60-61页 |
| 5.2.2 试验结果与分析 | 第61-65页 |
| 5.3 本章小结 | 第65-67页 |
| 第六章 结论与展望 | 第67-69页 |
| 6.1 研究结论 | 第67-68页 |
| 6.2 创新点 | 第68页 |
| 6.3 不足与展望 | 第68-69页 |
| 参考文献 | 第69-73页 |
| 致谢 | 第73-75页 |
| 攻读学位期间取得的研究成果目录 | 第75页 |