| 摘要 | 第3-5页 |
| abstract | 第5-6页 |
| 主要符号及缩写对照表 | 第10-12页 |
| 第一章 绪论 | 第12-20页 |
| 1.1 拓扑绝缘体简介 | 第12-19页 |
| 1.1.1 从霍尔效应到二维拓扑绝缘体 | 第12-15页 |
| 1.1.2 三维拓扑绝缘体 | 第15-17页 |
| 1.1.3 类石墨烯结构的量子自旋霍尔效应材料 | 第17-19页 |
| 1.2 稀磁半导体简介 | 第19页 |
| 1.3 本论文的研究内容 | 第19-20页 |
| 第二章 实验技术与原理介绍 | 第20-62页 |
| 2.1 晶体生长 | 第20-23页 |
| 2.1.1 单晶体材料的生长 | 第20-21页 |
| 2.1.2 分子束外延单晶薄膜材料的生长(MBE) | 第21-23页 |
| 2.2 反射式高能电子衍射(RHEED) | 第23-26页 |
| 2.3 超高真空扫描隧道显微镜(UHV-STM) | 第26-29页 |
| 2.3.1 STM的基本原理 | 第26-29页 |
| 2.4 角分辨光电子能谱(ARPES) | 第29-61页 |
| 2.4.1 基本原理 | 第29-37页 |
| 2.4.2 能带的K_z色散 | 第37-41页 |
| 2.4.3 光电子能谱的理论 | 第41-50页 |
| 2.4.4 偏振光ARPES | 第50-55页 |
| 2.4.5 ARPES实验装置 | 第55-61页 |
| 2.5 其他表征方法 | 第61页 |
| 2.6 本章小结 | 第61-62页 |
| 第三章 锡烯薄膜在Bi_2Te_3(111)基底上的外延生长及能带结构研究 | 第62-90页 |
| 3.1 研究背景 | 第62-67页 |
| 3.1.1 α-Sn薄膜的研究意义 | 第63-64页 |
| 3.1.2 早期的α-Sn薄膜生长 | 第64-67页 |
| 3.2 Bi_2Te_3(111)基底上单层α-Sn(111)薄膜的MBE生长. | 第67-71页 |
| 3.2.1 Bi_2Te_3(111)的制备 | 第67-68页 |
| 3.2.2 α-Sn(111)薄膜的MBE制备 | 第68-71页 |
| 3.3 α-Sn(111)薄膜的STM研究 | 第71-76页 |
| 3.3.1 α-Sn的生长模式STM研究 | 第71-73页 |
| 3.3.2 α-Sn薄膜的原子结构STM研究 | 第73-76页 |
| 3.4 单层α-Sn(111)薄膜的ARPES研究 | 第76-86页 |
| 3.4.1 单层α-Sn(111)薄膜的ARPES实验结果. | 第77-83页 |
| 3.4.2 DFT理论计算结果与实验结果的对比 | 第83-86页 |
| 3.5 后续实验可能生长Sn(111)的一些候选衬底 | 第86-87页 |
| 3.6 本章小结 | 第87-90页 |
| 第四章 ZrTe_5的电子结构研究 | 第90-102页 |
| 4.1 研究背景 | 第90-92页 |
| 4.2 实验方法 | 第92页 |
| 4.3 ZrTe_5的角分辨光电子能谱研究 | 第92-101页 |
| 4.3.1 a-c面内的能带 | 第92-94页 |
| 4.3.2 a-b面内的能带 | 第94-101页 |
| 4.4 本章小结 | 第101-102页 |
| 第五章 超薄PbTe(111)薄膜生长及电子结构研究 | 第102-110页 |
| 5.1 研究背景 | 第102页 |
| 5.2 Bi_2Te_3(111)基底上PbTe(111)薄膜的生长 | 第102-104页 |
| 5.3 PbTe(111)薄膜的电子结构 | 第104-108页 |
| 5.3.1 PbTe(111)薄膜的电子结构随厚度的变化. | 第104-105页 |
| 5.3.2 退火过程对PbTe(111)薄膜的电子结构的影响. | 第105-108页 |
| 5.4 本章小结 | 第108-110页 |
| 第六章 六角层状PtBi_2(hP9)能带结构研究 | 第110-128页 |
| 6.1 研究背景 | 第110-112页 |
| 6.2 实验方法 | 第112页 |
| 6.3 γ-PtBi_2的原子结构模型 | 第112-115页 |
| 6.4 γ-PtBi_2解理面的STM研究 | 第115-118页 |
| 6.4.1 AB面的解理方法 | 第115-116页 |
| 6.4.2 γ-PtBi_2解理面的表面形貌 | 第116-118页 |
| 6.5 γ-PtBi_2的电子结构研究 | 第118-126页 |
| 6.5.1 γ-PtBi_2的ARPES实验结果 | 第119-121页 |
| 6.5.2 γ-PtBi_2的理论计算和实验对比 | 第121-126页 |
| 6.6 本章小结 | 第126-128页 |
| 第七章 高温稀磁半导体母体Ba(Zn_(0.875)Mn_(0.125))_2As_2能带结构研究 | 第128-146页 |
| 7.1 研究背景 | 第128-133页 |
| 7.2 Ba(Zn_(0.875)Mn_(0.125))_2As_2的电子结构表征 | 第133-145页 |
| 7.2.1 实验方法 | 第134页 |
| 7.2.2 理论计算方法及其结果与实验结果对比. | 第134-143页 |
| 7.2.3 表面原位的钾元素掺杂 | 第143-145页 |
| 7.3 本章小结 | 第145-146页 |
| 全文总结 | 第146-148页 |
| 附录A 角分辨光电子能谱实验中块体解理样品的制备137参考文献 | 第148-150页 |
| 参考文献 | 第150-180页 |
| 致谢 | 第180-182页 |
| 攻读学位期间发表的学术论文 | 第182-187页 |
