CIGS薄膜光伏电池光吸收层制备及性能研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第11-13页 |
| 第二章 文献综述 | 第13-25页 |
| 2.1 铜铟镓硒薄膜太阳能电池简介 | 第13-17页 |
| 2.1.1 铜铟镓硒太阳能电池的特点 | 第13页 |
| 2.1.2 铜铟镓硒太阳能电池的结构 | 第13-15页 |
| 2.1.2.1 基底的选择 | 第13-14页 |
| 2.1.2.2 Mo背电极 | 第14页 |
| 2.1.2.3 CIGS吸收层 | 第14-15页 |
| 2.1.2.4 CdS缓冲层 | 第15页 |
| 2.1.2.5 ZnO窗口层 | 第15页 |
| 2.1.2.6 Ni/Al顶电极 | 第15页 |
| 2.1.2.7 MgF_2减反射层 | 第15页 |
| 2.1.3 铜铟镓硒太阳能电池的工作原理 | 第15-16页 |
| 2.1.4 铜铟镓硒太阳能电池的研究现状 | 第16-17页 |
| 2.2 CIGS薄膜简介 | 第17-20页 |
| 2.2.1 CIGS的结构与性能 | 第17页 |
| 2.2.2 CIGS薄膜生长机理 | 第17页 |
| 2.2.3 CIGS吸收层的制备方法 | 第17-20页 |
| 2.2.3.1 预置层硒化法 | 第18页 |
| 2.2.3.2 蒸发法 | 第18页 |
| 2.2.3.3 电化学沉积法 | 第18-19页 |
| 2.2.3.4 丝网印刷法 | 第19页 |
| 2.2.3.5 喷涂热解法 | 第19-20页 |
| 2.3 磁控溅射法制备CIGS薄膜 | 第20-22页 |
| 2.3.1 工作原理 | 第20页 |
| 2.3.2 影响因素 | 第20-22页 |
| 2.3.2.1 溅射时间 | 第20页 |
| 2.3.2.2 溅射功率 | 第20-21页 |
| 2.3.2.3 靶距 | 第21页 |
| 2.3.2.4 衬底温度 | 第21页 |
| 2.3.2.5 真空度 | 第21页 |
| 2.3.2.6 氩气流量 | 第21-22页 |
| 2.3.3 制备薄膜的特点 | 第22页 |
| 2.4 真空蒸发法制备CIGS薄膜 | 第22-23页 |
| 2.4.1 工作原理 | 第22页 |
| 2.4.2 影响因素 | 第22-23页 |
| 2.4.2.1 衬底温度 | 第22-23页 |
| 2.4.2.2 蒸距 | 第23页 |
| 2.4.2.3 真空度 | 第23页 |
| 2.4.2.4 蒸发功率 | 第23页 |
| 2.4.3 制备薄膜的特点 | 第23页 |
| 2.5 课题的研究意义和创新之处 | 第23-25页 |
| 第三章 实验部分 | 第25-30页 |
| 3.1 实验药品及仪器设备 | 第25-26页 |
| 3.2 玻璃衬底的清洗 | 第26页 |
| 3.3 铜铟镓硒薄膜的制备 | 第26-28页 |
| 3.3.1 磁控溅射法 | 第26-27页 |
| 3.3.2 真空蒸发法 | 第27-28页 |
| 3.4 分析测试方法 | 第28-30页 |
| 3.4.1 组分分析 | 第28页 |
| 3.4.2 物相结构分析 | 第28-29页 |
| 3.4.3 微观形貌分析 | 第29页 |
| 3.4.4 CIGS薄膜光电性能测试 | 第29-30页 |
| 3.4.4.1 电阻测试 | 第29页 |
| 3.4.4.2 光学性能测试 | 第29页 |
| 3.4.4.3 禁带宽度测试 | 第29-30页 |
| 第四章 结果与讨论 | 第30-55页 |
| 4.1 磁控溅射法制备CIGS薄膜 | 第30-44页 |
| 4.1.1 衬底对CIGS薄膜的影响 | 第30-31页 |
| 4.1.1.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第30-31页 |
| 4.1.1.2 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第31页 |
| 4.1.2 靶距对CIGS薄膜的影响 | 第31-33页 |
| 4.1.2.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第32页 |
| 4.1.2.2 CIGS薄膜的电阻率分析 | 第32-33页 |
| 4.1.3 溅射时间对CIGS薄膜的影响 | 第33-36页 |
| 4.1.3.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第33-34页 |
| 4.1.3.2 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第34-35页 |
| 4.1.3.3 CIGS薄膜的电阻率分析 | 第35-36页 |
| 4.1.3.4 CIGS薄膜的光学性能分析 | 第36页 |
| 4.1.4 衬底温度对CIGS薄膜的影响 | 第36-41页 |
| 4.1.4.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第37-38页 |
| 4.1.4.2 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第38-39页 |
| 4.1.4.3 CIGS薄膜的电阻率分析 | 第39页 |
| 4.1.4.4 CIGS薄膜的光学性能分析 | 第39-41页 |
| 4.1.5 退火对CIGS薄膜的影响 | 第41-44页 |
| 4.1.5.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第41-43页 |
| 4.1.5.2 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第43页 |
| 4.1.5.3 CIGS薄膜的电学性能分析 | 第43-44页 |
| 4.2 蒸发法制备CIGS薄膜 | 第44-55页 |
| 4.2.1 衬底对CIGS薄膜的影响 | 第44-46页 |
| 4.2.1.1 CIGS薄膜的物相分析 | 第44-45页 |
| 4.2.1.2 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第45-46页 |
| 4.2.2 衬底温度对CIGS薄膜的影响 | 第46-50页 |
| 4.2.2.1 CIGS薄膜的成分分析 | 第46页 |
| 4.2.2.2 CIGS薄膜的物相分析 | 第46-47页 |
| 4.2.2.3 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第47-48页 |
| 4.2.2.4 CIGS薄膜的电学性能分析 | 第48-49页 |
| 4.2.2.5 CIGS薄膜的光学性能分析 | 第49-50页 |
| 4.2.3 蒸发功率对CIGS薄膜的影响 | 第50-55页 |
| 4.2.3.1 CIGS薄膜的成分分析 | 第50-51页 |
| 4.2.3.2 CIGS薄膜的物相分析 | 第51-52页 |
| 4.2.3.3 CIGS薄膜的表面形貌分析 | 第52-53页 |
| 4.2.3.4 CIGS薄膜的电学性能分析 | 第53-54页 |
| 4.2.3.5 CIGS薄膜的光学性能分析 | 第54-55页 |
| 第五章 结论 | 第55-57页 |
| 参考文献 | 第57-61页 |
| 致谢 | 第61-62页 |
| 附录A 攻读硕士期间发表的论文及成果 | 第62页 |
