| 摘要 | 第6-9页 |
| Abstract | 第9-12页 |
| 第一章 绪论 | 第13-41页 |
| 1.1 半导体存储器概述 | 第13-20页 |
| 1.1.1 半导体存储器的分类 | 第13-15页 |
| 1.1.2 传统存储器面临的尺寸缩减极限 | 第15页 |
| 1.1.3 新型非易失性存储器简介 | 第15-20页 |
| 1.2 阻变存储器的研究进展 | 第20-33页 |
| 1.2.1 阻变存储器的发展历程 | 第21-22页 |
| 1.2.2 阻变存储器的材料体系 | 第22-25页 |
| 1.2.3 阻变存储器的电阻转变机理 | 第25-30页 |
| 1.2.4 电阻转变效应的其他应用 | 第30-33页 |
| 1.3 本论文的主要研究内容 | 第33-35页 |
| 参考文献 | 第35-41页 |
| 第二章 HfO_2/TiO_x双层结构阻变存储器的底电极材料与性能优化 | 第41-55页 |
| 2.1 引言 | 第41-42页 |
| 2.2 HfO_2/TiO_x材料制备及成分与价态分析 | 第42-43页 |
| 2.3 底电极对HfO_2/TiO_x双层结构阻变存储器的性能影响 | 第43-47页 |
| 2.3.1 器件制备、结构和生长参数 | 第43-45页 |
| 2.3.2 底电极对器件I-V特性的影响 | 第45-46页 |
| 2.3.3 底电极对器件主要开关参数的影响 | 第46-47页 |
| 2.4 不同类型底电极HfO_2/TiO_x双层结构阻变存储器的电阻开关机制 | 第47-52页 |
| 2.4.1 活性底电极HfO_2/TiO_x阻变存储器的电阻开关机制 | 第47-49页 |
| 2.4.2 惰性底电极HfO_2/TiO_x阻变存储器的电阻开关机制 | 第49-50页 |
| 2.4.3 亲氧底电极HfO_2/TiO_x阻变存储器的电阻开关机制 | 第50-52页 |
| 本章小结 | 第52-54页 |
| 参考文献 | 第54-55页 |
| 第三章 Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3三层结构阻变存储器多级存储与初始开关动力学研究 | 第55-71页 |
| 3.1 引言 | 第55-56页 |
| 3.2 Ti/Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3/Pt器件制备与结构表征 | 第56-58页 |
| 3.3 Al_2O_3层在Ti/Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3/Pt器件中的作用 | 第58-59页 |
| 3.4 Ti/Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3/Pt器件的电阻开关和导电机制 | 第59-62页 |
| 3.5 Ti/Al_2O_3/HfO_2/Al_2O_3/Pt器件的多级存储与初始开关动力学特性 | 第62-67页 |
| 3.5.1 多级存储特性 | 第62-65页 |
| 3.5.2 初始开关动力学特性 | 第65-67页 |
| 本章小结 | 第67-68页 |
| 参考文献 | 第68-71页 |
| 第四章 HfO_x/Al_2O_3多层结构阻变存储器导电量子化及负微分电导振荡特性 | 第71-87页 |
| 4.1 引言 | 第71-72页 |
| 4.2 HfO_x/Al_2O_3多层结构薄膜的制备及器件结构表征 | 第72-75页 |
| 4.3 HfO_x/Al_2O_3多层结构器件的阻变存储特性 | 第75-78页 |
| 4.3.0 电阻开关特性 | 第75-76页 |
| 4.3.1 循环和保持特性 | 第76-77页 |
| 4.3.2 多级存储特性 | 第77-78页 |
| 4.4 HfO_x/Al_2O_3多层结构阻变存储器的导电量子化现象 | 第78-81页 |
| 4.4.1 直流扫描模式下器件的量子化电导 | 第78-80页 |
| 4.4.2 脉冲链操作模式下器件的量子化电导 | 第80-81页 |
| 4.5 HfO_x/Al_2O_3多层结构阻变存储器的负微分电导振荡特性 | 第81-84页 |
| 本章小结 | 第84-85页 |
| 参考文献 | 第85-87页 |
| 第五章 Ti/HfO_2/TiO_x/Pt器件电阻转变效应在电子突触方面的应用 | 第87-102页 |
| 5.1 引言 | 第87-88页 |
| 5.2 Ti/HfO_2/TiO_x/Pt器件的结构表征 | 第88-89页 |
| 5.3 Ti/HfO_2/TiO_x/Pt器件的阻变存储特性 | 第89-93页 |
| 5.3.1 电阻开关特性 | 第89-90页 |
| 5.3.2 循环和保持特性 | 第90-91页 |
| 5.3.3 多级存储特性 | 第91-93页 |
| 5.4 Ti/HfO_2/TiO_x/Pt器件的电导连续调节 | 第93-94页 |
| 5.4.1 直流扫描模式下的电导连续调节 | 第93页 |
| 5.4.2 脉冲链操作模式下的电导连续调节 | 第93-94页 |
| 5.5 Ti/HO_2/TiO_x/Pt器件在电子突触方面的应用 | 第94-98页 |
| 5.5.1 突触增强和抑制的模拟 | 第94-96页 |
| 5.5.2 短时可塑性和长时可塑性的模拟 | 第96-98页 |
| 本章小结 | 第98-99页 |
| 参考文献 | 第99-102页 |
| 第六章 总结与展望 | 第102-105页 |
| 6.1 本论文工作总结 | 第102-103页 |
| 6.2 未来工作展望 | 第103-105页 |
| 攻读博士学位期间发表的学术论文 | 第105-107页 |
| 致谢 | 第107-108页 |
