| 致谢 | 第4-6页 |
| 摘要 | 第6-8页 |
| Abstract | 第8-10页 |
| 第一章 引言 | 第13-39页 |
| 1.1 量子点研究背景 | 第13-18页 |
| 1.1.1 量子点材料 | 第13-14页 |
| 1.1.2 量子点的量子效应 | 第14-16页 |
| 1.1.3 量子点的应用 | 第16-17页 |
| 1.1.4 Ⅰ类量子点与Ⅱ类量子点的比较 | 第17-18页 |
| 1.2 GaSb量子点材料 | 第18-25页 |
| 1.2.1 GaSb QDs/GaAs材料生长方式 | 第18-21页 |
| 1.2.2 GaSb QDs/GaAs材料研究进展 | 第21-23页 |
| 1.2.3 量子点红外探测器研究进展 | 第23-25页 |
| 1.3 本论文选题背景及创新意义 | 第25-27页 |
| 参考文献 | 第27-39页 |
| 第二章 液相外延生长设备的改进与新型石墨舟的设计 | 第39-45页 |
| 2.1 快速推舟液相外延技术 | 第39-40页 |
| 2.1.1 快速推舟液相外延技术原理 | 第39-40页 |
| 2.1.2 快速推舟液相外延生长设备的改进 | 第40页 |
| 2.2 新型石墨舟的设计 | 第40-42页 |
| 2.3 本章小结 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-45页 |
| 第三章 GaSb/GaAs量子点材料的LPE生长 | 第45-71页 |
| 3.1 半导体量子点材料的生长模式 | 第45-46页 |
| 3.2 衬底的处理 | 第46-47页 |
| 3.3 高质量缓冲层的生长 | 第47-51页 |
| 3.4 超薄GaAs盖帽层与GaAsSb盖帽层的低温生长 | 第51-58页 |
| 3.4.1 GaAs盖帽层的低温生长 | 第52-54页 |
| 3.4.2 GaAs_(1-x)Sb_x盖帽层的低温生长 | 第54-58页 |
| 3.5 高质量量子点的生长 | 第58-64页 |
| 3.5.1 量子点的生长过程 | 第58-60页 |
| 3.5.2 量子点材料的参数 | 第60-64页 |
| 3.6 本章小结 | 第64-67页 |
| 参考文献 | 第67-71页 |
| 第四章 LPE生长的GaSb/GaAs量子点材料的光学性质 | 第71-91页 |
| 4.1 GaSb/GaAs量子点材料的PL谱 | 第72-73页 |
| 4.2 GaSb/GaAs量子点材料的室温变激发功率PL谱 | 第73-79页 |
| 4.3 GaSb/GaAs量子点材料的变温PL谱 | 第79-82页 |
| 4.4 低温PL谱中的声子伴线现象 | 第82-85页 |
| 4.5 本章小结 | 第85-87页 |
| 参考文献 | 第87-91页 |
| 第五章 Ⅱ类GaSb/GaAs量子点红外探测器的研制 | 第91-107页 |
| 5.1 红外探测器的背景及重要参数 | 第91-93页 |
| 5.2 LPE生长的Ⅱ类GaSb/GaAs QDIP结构设计 | 第93-95页 |
| 5.3 Ⅱ类GaSb/GaAs QDIP的红外灯照射测试 | 第95-97页 |
| 5.4 Ⅱ类GaSb/GaAs QDIP的黑体辐射响应测试 | 第97-101页 |
| 5.5 n-p-i-p结构的Ⅱ类GaSb/GaAs量子点材料用于太阳能电池中的可能性讨论 | 第101-102页 |
| 5.6 本章小结 | 第102-103页 |
| 参考文献 | 第103-107页 |
| 第六章 总结与展望 | 第107-109页 |
| 6.1 全文总结 | 第107-108页 |
| 6.2 展望 | 第108-109页 |
| 作者简历及攻读学位期间发表的学术论文与研究成果 | 第109页 |
