| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-17页 |
| 1.1 六方氮化硼的基本性质 | 第10-13页 |
| 1.2 六方氮化硼薄膜的研究现状 | 第13-14页 |
| 1.3 氮化硼深紫外光电探测器的研究背景及进展 | 第14-16页 |
| 1.4 论文主要内容及结构安排 | 第16-17页 |
| 第二章 六方氮化硼薄膜性能表征方法及光电探测器的基本原理 | 第17-27页 |
| 2.1 磁控溅射生长技术简介 | 第17-18页 |
| 2.2 薄膜表征原理简介 | 第18-22页 |
| 2.2.1 X射线衍射(XRD) | 第18-19页 |
| 2.2.2 X射线光电子能谱(XPS) | 第19-20页 |
| 2.2.3 傅里叶红外光谱(FTIR) | 第20-22页 |
| 2.2.4 紫外可见光谱(UV-vis光谱) | 第22页 |
| 2.2.5 扫描电子显微镜(SEM) | 第22页 |
| 2.3 光电探测器的基本原理 | 第22-25页 |
| 2.4 紫外光电响应测试系统原理简介 | 第25-27页 |
| 第三章 六方氮化硼薄膜稳定性的研究 | 第27-43页 |
| 3.1 六方氮化硼薄膜的磁控溅射生长工艺 | 第27-28页 |
| 3.2 氧含量对六方氮化硼薄膜稳定性的影响 | 第28-32页 |
| 3.3 Si(111)与Si(100)衬底对薄膜质量的影响 | 第32-35页 |
| 3.4 稳定六方氮化硼薄膜的性能表征 | 第35-37页 |
| 3.5 薄膜颜色与厚度的关系 | 第37-38页 |
| 3.6 六方氮化硼薄膜的分层现象 | 第38-42页 |
| 3.7 本章小结 | 第42-43页 |
| 第四章 MSM型六方氮化硼深紫外光电探测器的研究 | 第43-53页 |
| 4.1 六方氮化硼薄膜的光学特性 | 第43-44页 |
| 4.2 六方氮化硼MSM型深紫外光电探测器的制备方法 | 第44-46页 |
| 4.3 基于六方氮化硼薄膜的深紫外光电探测器性能研究 | 第46-48页 |
| 4.4 紫外增强型硅光电探测器的研究 | 第48-52页 |
| 4.5 本章小结 | 第52-53页 |
| 第五章 总结与展望 | 第53-55页 |
| 参考文献 | 第55-59页 |
| 作者简介及在学期间所取得的科研成果 | 第59-60页 |
| 致谢 | 第60页 |
