| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 综述 | 第8-28页 |
| ·引言 | 第8页 |
| ·LED历史简单回顾 | 第8-9页 |
| ·GaN基LED | 第9-11页 |
| ·GaN基LED制作过程的几个关键技术 | 第11-18页 |
| ·外延技术 | 第11-15页 |
| ·欧姆接触 | 第15-16页 |
| ·p型掺杂技术 | 第16-17页 |
| ·激光剥离技术 | 第17-18页 |
| ·金属基板LED | 第18-21页 |
| ·金属基板LED的制作方法 | 第18-20页 |
| ·金属基板LED的研究进展 | 第20-21页 |
| ·本论文的研究内容及行文安排 | 第21-23页 |
| 参考文献 | 第23-28页 |
| 第2章 硅衬底GaN基金属基板LED变温变电流性能 | 第28-46页 |
| ·引言 | 第28-29页 |
| ·实验 | 第29-30页 |
| ·金属基板样品制备 | 第29-30页 |
| ·相关测试 | 第30页 |
| ·结果与讨论 | 第30-42页 |
| ·I-V特性分析 | 第30-31页 |
| ·L-I分析 | 第31-33页 |
| ·EQE-J分析 | 第33-36页 |
| ·EL光谱分析 | 第36-42页 |
| ·结论 | 第42页 |
| 参考文献 | 第42-46页 |
| 第3章 不同基板硅衬底GaN基LED老化性能研究 | 第46-61页 |
| ·引言 | 第46-47页 |
| ·实验 | 第47页 |
| ·结果与讨论 | 第47-56页 |
| ·I-V特性分析 | 第47-50页 |
| ·EL光谱分析 | 第50-52页 |
| ·L-I关系分析 | 第52-54页 |
| ·转移前后应力分析 | 第54-56页 |
| ·结论 | 第56-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 第4章 硅衬底GaN基不同基板LED结温特性 | 第61-72页 |
| ·引言 | 第61页 |
| ·LED结温的测试方法 | 第61-66页 |
| ·正向电压法 | 第61-65页 |
| ·蓝白比法 | 第65页 |
| ·管脚温度法 | 第65-66页 |
| ·峰值波长漂移法 | 第66页 |
| ·实验 | 第66-67页 |
| ·结果与讨论 | 第67-69页 |
| ·结论 | 第69-70页 |
| 参考文献 | 第70-72页 |
| 第5章 结论 | 第72-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 攻读硕士学位期间所发文章 | 第76页 |