| 摘要 | 第1-4页 |
| ABSTRACT | 第4-8页 |
| 第1章 引言 | 第8-23页 |
| ·概述 | 第8页 |
| ·GaN基LED简介 | 第8-14页 |
| ·GaN基LED发展简史 | 第9-10页 |
| ·GaN材料基本性质 | 第10-14页 |
| ·GaN基LED薄膜转移技术 | 第14-20页 |
| ·Bonding技术 | 第14-16页 |
| ·电镀(Electroplating)金属基板技术 | 第16-19页 |
| ·激光剥离技术(LLO) | 第19-20页 |
| ·Si衬底GaN基LED | 第20-22页 |
| ·发展简史 | 第20-21页 |
| ·研究课题介绍 | 第21-22页 |
| ·本论文研究内容及行文安排 | 第22-23页 |
| 第2章 Si衬底GaN基LED薄膜转移至电镀金属基板前后应力变化研究 | 第23-45页 |
| ·引言 | 第23-24页 |
| ·实验方法 | 第24-30页 |
| ·GaN薄膜转移方法 | 第24-25页 |
| ·晶体结构分析方法 | 第25-30页 |
| ·光致发光分析方法 | 第30页 |
| ·HRXRD晶格常数测量研究 | 第30-36页 |
| ·衍射条件的选择 | 第30-35页 |
| ·GaN晶格常数计算方法 | 第35-36页 |
| ·Si衬底GaN基LED薄膜转移至不同电镀金属基板的应力变化 | 第36-42页 |
| ·实验 | 第36-37页 |
| ·结果与讨论 | 第37-42页 |
| ·铬基板的结构变化对GaN薄膜应力的影响 | 第42-44页 |
| ·实验 | 第42页 |
| ·结果与讨论 | 第42-44页 |
| ·总结 | 第44-45页 |
| 第3章 Si衬底GaN基LED薄膜图形化电镀金属基板工艺摸索 | 第45-60页 |
| ·引言 | 第45-48页 |
| ·实验 | 第48-49页 |
| ·图形化电镀铜基板 | 第48-49页 |
| ·图形化电镀铬基板 | 第49页 |
| ·结果与讨论 | 第49-58页 |
| ·不同电镀时间下的铜基板图形化效果 | 第49-52页 |
| ·光刻次数对图形化电镀铜基板厚度的影响 | 第52-54页 |
| ·Pt上镀铬的可行性验证 | 第54-55页 |
| ·沟槽处Pt的粘结性验证 | 第55-57页 |
| ·沟槽处Pt实现图形化镀铬的可行性验证 | 第57-58页 |
| ·总结 | 第58-60页 |
| 第4章 结论与展望 | 第60-62页 |
| ·结论 | 第60页 |
| ·展望 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-68页 |
| 攻读学位期间的研究成果 | 第68页 |
