摘要 | 第5-6页 |
Abstract | 第6-7页 |
第一章 引言 | 第10-12页 |
第二章 文献综述 | 第12-32页 |
2.1 ZnO的结构与基本性质 | 第12-18页 |
2.1.1 ZnO的晶体结构 | 第12-13页 |
2.1.2 ZnO的基本性质 | 第13-14页 |
2.1.3 ZnO的电学性质 | 第14-16页 |
2.1.4 ZnO的光学性质 | 第16-18页 |
2.2 ZnO的能带工程 | 第18-21页 |
2.2.1 ZnO的合金化 | 第18-19页 |
2.2.2 ZnMgO三元合金 | 第19-21页 |
2.3 非极性ZnO基薄膜偏振发光特性的研究 | 第21-28页 |
2.3.1 非极性ZnO基薄膜 | 第21-22页 |
2.3.2 非极性ZnO基薄膜的特性 | 第22-24页 |
2.3.3 偏振发光简介 | 第24-27页 |
2.3.4 偏振发光的应用及其在非极性ZnO基薄膜中的研究进展 | 第27-28页 |
2.4 氢处理增强ZnO基薄膜光致发光的研究 | 第28-30页 |
2.4.1 ZnO基薄膜光致发光增强的研究进展 | 第28页 |
2.4.2 氢处理简介及其研究进展 | 第28-30页 |
2.5 本论文研究内容 | 第30-32页 |
第三章 实验原理、生长工艺及测试表征手段 | 第32-38页 |
3.1 实验设备 | 第32-34页 |
3.1.1 分子束外延 | 第32-34页 |
3.1.2 分子束外延的技术优势 | 第34页 |
3.2 生长工艺 | 第34-36页 |
3.2.1 实验原材料 | 第34-35页 |
3.2.2 衬底清洗和预处理 | 第35页 |
3.2.3 外延工艺 | 第35-36页 |
3.3 测试表征手段 | 第36-38页 |
第四章 非极性ZnMgO薄膜偏振发光特性的研究 | 第38-52页 |
4.1 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的外延生长 | 第38-40页 |
4.2 非极性a面Zn_(1-x)MgO薄膜的基本性能表征 | 第40-43页 |
4.2.1 非极性a面Zn_(1-x)MgO薄膜的Mg含量 | 第40页 |
4.2.2 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的晶体质量 | 第40-42页 |
4.2.3 非极性a面Zn_(1-x)MgO薄膜的表面形貌 | 第42-43页 |
4.3 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜光学偏振特性的研究 | 第43-50页 |
4.3.1 偏振拉曼光谱 | 第43-44页 |
4.3.2 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的应力分析 | 第44-46页 |
4.3.3 偏振光致发光谱及测量步骤 | 第46-47页 |
4.3.4 非极性a面Zn_(1-x)Mg_xO薄膜的光学偏振特性分析 | 第47-50页 |
4.4 本章小结 | 第50-52页 |
第五章 氢等离子体增强ZnMgO薄膜光致发光的研究 | 第52-62页 |
5.1 ZnMgO、ZnO、ZnO:Ga薄膜的外延生长 | 第52-53页 |
5.2 Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO:Ga薄膜的基本性能表征 | 第53-56页 |
5.2.1 Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO: Ga薄膜中的Mg、Ga含量 | 第53-54页 |
5.2.2 Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO: Ga薄膜的晶体质量 | 第54-56页 |
5.2.3 Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO: Ga薄膜的表面形貌 | 第56页 |
5.3 氢处理增强Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO: Ga薄膜光致发光 | 第56-61页 |
5.3.1 氢处理增强Zn_(0.88)Mg_(0.12)O薄膜光致发光 | 第56-58页 |
5.3.2 氢处理增强ZnO、ZnO: Ga薄膜光致发光 | 第58-59页 |
5.3.3 Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO: Ga薄膜光致发光增强的差异分析 | 第59-60页 |
5.3.4 退火处理Zn_(0.88)Mg_(0.12)O、ZnO、ZnO: Ga薄膜 | 第60-61页 |
5.4 本章小结 | 第61-62页 |
第六章 结论与展望 | 第62-64页 |
参考文献 | 第64-72页 |
致谢 | 第72-74页 |
个人简历 | 第74-76页 |
攻读学位期间发表的学术论文与取得的其他研究成果 | 第76页 |