| 摘要 | 第5-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-29页 |
| 1.1 引言 | 第10页 |
| 1.2 MOS_2的结构和基本性质 | 第10-13页 |
| 1.3 MoS_2的合成方法 | 第13-19页 |
| 1.4 热处理介绍 | 第19-22页 |
| 1.5 应用 | 第22-28页 |
| 1.6 本论文的研究意义及主要内容 | 第28-29页 |
| 第二章 材料的制备和表征 | 第29-32页 |
| 2.1 材料制备原料及设备 | 第29页 |
| 2.2 实验样品的制备 | 第29-30页 |
| 2.3 主要表征手段 | 第30-32页 |
| 第三章 二维MoS_2的CVD法制备及性能表征 | 第32-47页 |
| 3.1 前言 | 第32-33页 |
| 3.2 实验方法 | 第33-34页 |
| 3.2.1 样品制备 | 第33-34页 |
| 3.3 结果与分析 | 第34-45页 |
| 3.3.1 两种Mo源的产物对比 | 第34-35页 |
| 3.3.2 形状一致的二维MoS_2薄膜及其生长机理分析 | 第35-40页 |
| 3.3.3 花、金字塔和盾牌状MoS | 第40-44页 |
| 3.3.4 多层堆叠结构的MoS | 第44-45页 |
| 3.4 本章小结 | 第45-47页 |
| 第四章 热处理对MOS_2薄膜结构和性能的影响 | 第47-57页 |
| 4.1 前言 | 第47-48页 |
| 4.2 实验部分 | 第48页 |
| 4.2.1 样品制备和热处理 | 第48页 |
| 4.2.2 样品的表征 | 第48页 |
| 4.3 结果与分析 | 第48-56页 |
| 4.4 本章小结 | 第56-57页 |
| 第五章 基于MOS_2复合材料性能的初步研究 | 第57-62页 |
| 5.1 前言 | 第57-58页 |
| 5.2 MOS_2复合材料的拉曼和电学特性 | 第58-61页 |
| 5.3 本章小结 | 第61-62页 |
| 结论 | 第62-63页 |
| 参考文献 | 第63-74页 |
| 攻读硕士学位期间取得的研究成果 | 第74-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 附件 | 第77页 |