| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4-5页 |
| 第1章 引言 | 第10-39页 |
| 1.1 铁基超导体 | 第10-14页 |
| 1.2 铁硫族超导体 | 第14-24页 |
| 1.2.1 FeSe 的晶体结构和元素掺杂 | 第14-17页 |
| 1.2.2 FeSe 的电子态结构 | 第17-19页 |
| 1.2.3 FeTe 的超导电性 | 第19-20页 |
| 1.2.4 FeSe 的压力和应力效应 | 第20-24页 |
| 1.3 超导界面增强效应 | 第24-33页 |
| 1.3.1 硫族的半导体/半导体界面 | 第24-25页 |
| 1.3.2 钙钛矿的绝缘体/绝缘体界面 | 第25-28页 |
| 1.3.3 衬底应力效应 | 第28-29页 |
| 1.3.4 铜氧化合物界面超导 | 第29-31页 |
| 1.3.5 超导相位涨落和刚度 | 第31-32页 |
| 1.3.6 界面电﹣声耦合增强效应 | 第32-33页 |
| 1.4 当前实验进展 | 第33-39页 |
| 1.4.1 石墨烯衬底上 FeSe 薄膜的超导特性 | 第33-34页 |
| 1.4.2 钛酸锶衬底上 FeSe 薄膜的超导特性 | 第34-39页 |
| 第2章 实验仪器和原理 | 第39-54页 |
| 2.1 超高真空技术 | 第39-41页 |
| 2.2 分子束外延生长技术 | 第41-43页 |
| 2.3 扫描隧道显微镜 | 第43-46页 |
| 2.3.1 STM 的原理 | 第43-45页 |
| 2.3.2 STM 的结构 | 第45页 |
| 2.3.3 STM 的特点 | 第45-46页 |
| 2.4 角分辨光电子能谱 | 第46页 |
| 2.5 综合物性测量系统 | 第46-50页 |
| 2.6 超导互感线圈 | 第50-54页 |
| 第3章 单层 FeSe 薄膜和 FeTe 保护层的 MBE 生长 | 第54-72页 |
| 3.1 研究背景 | 第54-56页 |
| 3.2 实验方法 | 第56-59页 |
| 3.2.1 SrTiO_3的晶体结构 | 第56-57页 |
| 3.2.2 导电型 SrTiO_3衬底的处理 | 第57页 |
| 3.2.3 绝缘型 SrTiO_3衬底的处理 | 第57-58页 |
| 3.2.4 FeSe 和 FeTe 薄膜的生长条件 | 第58-59页 |
| 3.3 FeSe 薄膜的 MBE 生长 | 第59-62页 |
| 3.4 FeTe 保护层的 MBE 生长 | 第62-64页 |
| 3.5 异质结样品的界面结构 | 第64-65页 |
| 3.6 样品在大气环境中的氧化问题 | 第65-68页 |
| 3.7 其他氧化物衬底上 FeSe 薄膜的生长 | 第68-71页 |
| 3.8 本章小结 | 第71-72页 |
| 第4章 单层 FeSe 薄膜高温超导特性的实验观测 | 第72-91页 |
| 4.1 单层 FeSe 薄膜的超导能隙 | 第72-75页 |
| 4.2 单层 FeSe 薄膜的能带结构 | 第75-78页 |
| 4.3 单层 FeSe 薄膜超导的电磁输运 | 第78-83页 |
| 4.4 单层 FeSe 薄膜的二维超导性 | 第83-86页 |
| 4.5 宏观电磁输运和微观 STM/ARPES 比较 | 第86-90页 |
| 4.6 本章小结 | 第90-91页 |
| 第5章 FeSe/SrTiO_3界面的电子掺杂效应 | 第91-110页 |
| 5.1 研究背景 | 第91-93页 |
| 5.2 退火过程中单层 FeSe 薄膜的表面形貌和超导能隙变化 | 第93-95页 |
| 5.3 退火过程中单层 FeSe 薄膜的电子能带变化 | 第95-100页 |
| 5.4 退火过程中单层 FeSe 薄膜的输运结果变化 | 第100-103页 |
| 5.5 单层 FeSe 薄膜的场效应调控 | 第103-106页 |
| 5.6 FeSe 界面的电子掺杂效应和超导增强机制 | 第106-109页 |
| 5.7 本章小结 | 第109-110页 |
| 第6章 FeSe 薄膜的磁输运性质 | 第110-126页 |
| 6.1 研究背景 | 第110-112页 |
| 6.2 上临界磁场和各向异性 | 第112-117页 |
| 6.3 热激发的磁通蠕动 | 第117-119页 |
| 6.4 线性磁阻 | 第119-125页 |
| 6.5 本章小结 | 第125-126页 |
| 第7章 结论 | 第126-128页 |
| 参考文献 | 第128-147页 |
| 致谢 | 第147-149页 |
| 个人简历、在学期间发表的学术论文与研究成果 | 第149-150页 |
