| 摘要 | 第4-5页 |
| ABSTRACT | 第5-6页 |
| 第一章 绪论 | 第9-13页 |
| 1.1 论文的研究背景及意义 | 第9-10页 |
| 1.2 论文的研究内容及主要创新点 | 第10-11页 |
| 1.3 本论文的组织结构 | 第11-13页 |
| 第二章 硅基发光的研究进展 | 第13-24页 |
| 2.1 半导体发光概述 | 第13-18页 |
| 2.1.1 半导体发光的物理基础 | 第13-15页 |
| 2.1.2 发光效率 | 第15-17页 |
| 2.1.3 光电转化可逆性原理 | 第17-18页 |
| 2.2 硅基发光综述 | 第18-21页 |
| 2.2.1 硅材料发光特性 | 第18-20页 |
| 2.2.2 硅基光源的研究进展 | 第20-21页 |
| 2.3 CMOS型SI-LEDS的研究进展 | 第21-23页 |
| 2.4 本章小结 | 第23-24页 |
| 第三章 高发光功率密度SI-LED的研制 | 第24-42页 |
| 3.1 三端楔型SI-LEDS的设计 | 第24-27页 |
| 3.2 电、光学性能测试 | 第27-32页 |
| 3.2.1 电学特性测试 | 第27页 |
| 3.2.2 光功率测试 | 第27-32页 |
| 3.3 光功率分析 | 第32-40页 |
| 3.3.1 发光二极管pY~+-n结的发光指标 | 第32-36页 |
| 3.3.2 光功率曲线的非线性特性分析 | 第36-40页 |
| 3.4 本章小结 | 第40-42页 |
| 第四章 SI-LED的发光机理分析 | 第42-52页 |
| 4.1 光谱分析 | 第42-45页 |
| 4.2 发光机制 | 第45-50页 |
| 4.2.1 发射光谱中各个发光峰产生的原因和相应的发光机制 | 第45-49页 |
| 4.2.2 对高、低电流下主峰位置转化的解释 | 第49页 |
| 4.2.3 对存在 1038 nm和 994 nm两个发光峰的解释 | 第49-50页 |
| 4.3 本章小结 | 第50-52页 |
| 第五章 光互连系统设计 | 第52-58页 |
| 5.1 片上光互连系统综述 | 第52-53页 |
| 5.2 多晶硅PIN探测器 | 第53-55页 |
| 5.2.1 器件的设计与制作 | 第53页 |
| 5.2.2 多晶硅PIN-LED的电学特性测试 | 第53-54页 |
| 5.2.3 多晶硅PIN-LED的光学特性测试 | 第54-55页 |
| 5.3 光互连系统 | 第55-57页 |
| 5.4 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 总结及展望 | 第58-62页 |
| 6.1 论文工作总结 | 第58-59页 |
| 6.2 研究展望 | 第59-62页 |
| 参考文献 | 第62-68页 |
| 发表论文和参加科研情况说明 | 第68-70页 |
| 致谢 | 第70-71页 |