基于非晶氧化物薄膜晶体管的AMOLED像素电路及集成栅极驱动电路的设计
| 摘要 | 第3-4页 |
| ABSTRACT | 第4页 |
| 第一章 研究背景 | 第10-12页 |
| 第二章 OLED以及IGZO概述 | 第12-18页 |
| 2.1 OLED概述 | 第12-13页 |
| 2.2 IGZO概述 | 第13-15页 |
| 2.3 OLED的发光原理 | 第15-16页 |
| 2.4 OLED的结构 | 第16-17页 |
| 2.5 本章小结 | 第17-18页 |
| 第三章 OLED的驱动方式 | 第18-23页 |
| 3.1 无源矩阵OLED | 第18-19页 |
| 3.2 有源矩阵OLED | 第19页 |
| 3.3 PMOLED与AMOLED的比较 | 第19-20页 |
| 3.4 AMOLED基本像素电路 | 第20-22页 |
| 3.5 本章小结 | 第22-23页 |
| 第四章 AMOLED像素电路的设计 | 第23-37页 |
| 4.1 阈值电压补偿电路 | 第23-25页 |
| 4.2 OLED衰退补偿电路 | 第25-28页 |
| 4.3 电源线IR Drop补偿电路 | 第28-30页 |
| 4.4 像素电路的设计与模拟 | 第30-36页 |
| 4.4.1 像素电路的设计 | 第30-33页 |
| 4.4.2 电路仿真软件 | 第33页 |
| 4.4.3 像素电路的模拟 | 第33-36页 |
| 4.5 本章小结 | 第36-37页 |
| 第五章 集成栅极驱动电路的设计 | 第37-59页 |
| 5.1 栅极浮接技术 | 第37-41页 |
| 5.2 串联双TFT架构 | 第41-46页 |
| 5.3 双时钟信号控制技术 | 第46-49页 |
| 5.4 现有技术对比 | 第49-50页 |
| 5.5 集成栅极驱动电路的设计 | 第50-58页 |
| 5.5.1 多级电路的输出特性 | 第53-54页 |
| 5.5.2 电路的高低温特性 | 第54-55页 |
| 5.5.3 阈值电压漂移的特性 | 第55-57页 |
| 5.5.4 新电路与现有技术的对比 | 第57-58页 |
| 5.6 本章小结 | 第58-59页 |
| 第六章 结束语 | 第59-60页 |
| 6.1 主要工作与创新点 | 第59页 |
| 6.2 后续研究工作 | 第59-60页 |
| 参考文献 | 第60-62页 |
| 致谢 | 第62-63页 |
| 攻读硕士学位期间已发表或录用的论文 | 第63-65页 |
