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提取线性分子隧穿过程中的干涉信息

摘要第3-5页
Abstract第5-6页
第一章 绪论第9-21页
    1.1 引言第9-10页
    1.2 强场电离第10-16页
        1.2.1 Keldysh理论第10-11页
        1.2.2 ADK理论第11页
        1.2.3 多光子电离与阈上电离第11-15页
        1.2.4 隧穿电离和越垒电离第15-16页
    1.3 高次谐波(high-order harmonic generation,HHG)第16-18页
        1.3.1 高次谐波产生介绍第16-17页
        1.3.2 高次谐波产生机制第17-18页
    1.4 本章小结及本论文主要工作第18-21页
第二章 数值和解析方法第21-31页
    2.1 半经典三步模型第21-23页
    2.2 强场近似模型理论第23-28页
    2.3 数值求解含时薛定谔方程第28-31页
        2.3.1 虚时演化方法第28-29页
        2.3.2 劈裂算符方法求波函数第29-31页
第三章 提取线性分子隧穿中的两中心干涉信息第31-51页
    3.1 引言第31-32页
    3.2 数值计算方法第32-33页
    3.3 直接电离电子与绕核电离电子第33-38页
    3.4 动量分布第38-41页
    3.5 隧穿中的干涉第41-46页
    3.6 不对称度第46-50页
    3.7 总结第50-51页
第四章 总结第51-53页
参考文献第53-61页
致谢第61-63页
攻读学位期间取得的科研成果第63页

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