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不同厚度BaTiO3薄膜的铁电隧道结电学性质的研究

摘要第4-5页
Abstract第5-6页
第1章 绪论第10-24页
    1.1 引言第10页
    1.2 铁电薄膜材料第10-12页
    1.3 铁电薄膜的界面物理特性第12-17页
        1.3.1 磁性调控第12-14页
        1.3.2 界面电荷对电阻的调控第14-16页
        1.3.3 界面电荷对交换偏置的调控第16-17页
    1.4 铁电隧道结的研究进展第17-22页
        1.4.1 铁电隧道结第17-19页
        1.4.2 铁电隧道结的研究进展第19-22页
    1.5 本文的研究内容第22-24页
第2章 不同厚度 BaTiO_3薄膜的铁电隧道结制备第24-31页
    2.1 引言第24页
    2.2 薄膜的制备第24-28页
        2.2.1 脉冲激光沉积(PLD)第24-25页
        2.2.2 磁控溅射第25-26页
        2.2.3 Pt/BaTiO_3双层薄膜的制备第26-28页
    2.3 Pt/ BaTiO_3/Nb:SrTiO_3铁电隧道结的制备过程第28-29页
    2.4 Pt/ BaTiO_3/Nb:SrTiO_3铁电隧道结的表征方法第29页
        2.4.1 X 射线衍射第29页
        2.4.2 电学测试系统第29页
    2.5 本章小结第29-31页
第3章 SrRuO_3/BaTiO_3/ Nb:SrTiO_3异质结电学性质的研究第31-38页
    3.1 引言第31页
    3.2 SrRuO_3/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3结构的表征第31-32页
    3.3 SrRuO_3/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3的电致阻变分析第32-35页
        3.3.1 SrRuO_3/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结构的电致阻变测量第32-34页
        3.3.2 SrRuO_3/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结构的电致阻变的物理解释第34-35页
    3.4 SrRuO_3/BaTiO_3/Nb:SrTiO_3异质结的非易失电阻转换特性第35-37页
    3.5 本章小结第37-38页
第4章 Pt(5nm)/ BaTiO_3(20nm)/ Nb:SrTiO_3(100)异质结构电学性质研究第38-44页
    4.1 引言第38页
    4.2 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3异质结的整流特性第38-39页
        4.2.1 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3异质结的 I-V第38-39页
    4.3 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3的阻变效应第39-41页
    4.4 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3结构的非易失转换特性第41-43页
        4.4.1 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3异质结的 R-V第41-42页
        4.4.2 Pt(5nm)/BaTiO_3(20nm)/Nb:SrTiO_3结构的循环特性第42-43页
    4.5 本章小结第43-44页
第5章 Pt(5nm)/ BaTiO_3(3nm)/ Nb:SrTiO_3(100)铁电隧道结的电学性质研究35第44-52页
    5.1 引言第44页
    5.2 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3(100)结构的表征第44-45页
    5.3 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3(100)阻变效应分析第45-48页
        5.3.1 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的界面电荷分布第45-46页
        5.3.2 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的 I-V 特性曲线分析第46-47页
        5.3.3 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的阻变效应分析第47-48页
    5.4 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的非易失电阻转换第48-49页
        5.4.1 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的 R-V 特性曲线分析第48-49页
        5.4.2 Pt(5nm)/BaTiO_3(3nm)/Nb:SrTiO_3隧道结的时效性第49页
    5.5 BaTiO_3为 3nm 的隧道结的阻变机理讨论第49-50页
    5.6 本章小结第50-52页
结论第52-53页
参考文献第53-58页
致谢第58页

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