| 内容提要 | 第4-7页 |
| 第一章 引言 | 第7-16页 |
| 1.1 自旋电子学 | 第7-10页 |
| 1.2 自旋轨道相互作用 | 第10-15页 |
| 1.2.1 研究历史及发展近况 | 第10-12页 |
| 1.2.2 Rashba 自旋轨道耦合 | 第12-15页 |
| 1.3 我们的研究内容 | 第15-16页 |
| 第二章 模型及理论推导 | 第16-36页 |
| 2.1 理论模型 | 第16-18页 |
| 2.2 理论推导 | 第18-36页 |
| 2.2.1 系统哈密顿量 | 第18-21页 |
| 2.2.2 密度矩阵 | 第21-25页 |
| 2.2.3 密度矩阵近似 | 第25-31页 |
| 2.2.4 电流密度表达式 | 第31-36页 |
| 第三章 数值结果讨论 | 第36-43页 |
| 3.1 准二维半导体量子阱宽度的影响 | 第36-38页 |
| 3.2 电子密度对电流密度的影响 | 第38-40页 |
| 3.3 外加磁场对电流密度的影响 | 第40-43页 |
| 第四章 总结 | 第43-44页 |
| 参考文献 | 第44-49页 |
| 致谢 | 第49-50页 |
| 摘要 | 第50-52页 |
| Abstract | 第52-54页 |