| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-8页 |
| 第1章 绪论 | 第15-33页 |
| 1.1 研究的目的和意义 | 第15页 |
| 1.2 SiO_x薄膜类阻隔包装材料研究进展 | 第15-28页 |
| 1.2.1 SiO_x薄膜制备方法 | 第16-19页 |
| 1.2.2 SiO_x薄膜类气体阻隔薄膜制备及发展 | 第19-22页 |
| 1.2.3 聚合物表面镀膜类高阻隔包装材料的阻隔机制 | 第22-28页 |
| 1.3 磁控共溅射含高分子靶材的复合薄膜研究进展 | 第28-31页 |
| 1.3.1 磁控单靶溅射高分子靶材 | 第28-29页 |
| 1.3.2 磁控共溅射氧化硅/高分子复合薄膜 | 第29-31页 |
| 1.4 本文主要研究的内容 | 第31-33页 |
| 第2章 试验设计及表征方法 | 第33-45页 |
| 2.1 引言 | 第33页 |
| 2.2 高分子靶材的设计及制备 | 第33-37页 |
| 2.2.1 阻隔薄膜的设计要求 | 第33-34页 |
| 2.2.2 高分子靶材设计的思路 | 第34页 |
| 2.2.3 高分子靶材 DCPD/MA 的制备 | 第34-37页 |
| 2.3 磁控共溅射沉积薄膜基本工艺过程 | 第37-39页 |
| 2.3.1 磁控共溅射实验设备 | 第37-38页 |
| 2.3.2 薄膜沉积基本工艺过程 | 第38-39页 |
| 2.4 磁控溅射过程中等离子组分测量的原位质谱法 | 第39-41页 |
| 2.5 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜分析与表征方法 | 第41-45页 |
| 2.5.1 形貌表征方法 | 第41-42页 |
| 2.5.2 组织成分及结构分析方法 | 第42页 |
| 2.5.3 性能检测方法 | 第42-45页 |
| 第3章 磁控溅射过程中等离子组分的分析 | 第45-61页 |
| 3.1 磁控溅射 SiO_2靶材的等离子组分的测量 | 第45-51页 |
| 3.1.1 磁控溅射 SiO_2靶材等离子组分中的离子检测 | 第45-48页 |
| 3.1.2 磁控溅射 SiO_2靶材等离子组分中的自由基检测 | 第48-51页 |
| 3.2 磁控溅射 DCPD/MA 靶材等离子组分的测量 | 第51-59页 |
| 3.2.1 磁控溅射 DCPD/MA 靶材等离子组分中的离子检测 | 第51-56页 |
| 3.2.2 磁控溅射 DCPD/MA 靶材等离子组分中的自由基检测 | 第56-58页 |
| 3.2.3 磁控溅射 DCPD/MA 靶材的解离路径 | 第58-59页 |
| 3.3 本章小结 | 第59-61页 |
| 第4章 磁控溅射沉积 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的工艺研究 | 第61-73页 |
| 4.1 磁控溅射沉积 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的特性 | 第61-67页 |
| 4.1.1 磁控溅射高分子 DCPD/MA 靶材的沉积特性 | 第61-65页 |
| 4.1.2 磁控溅射单靶 SiO_2的沉积特性 | 第65-66页 |
| 4.1.3 磁控共溅射 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的沉积特性及薄膜的轴向均匀性 | 第66-67页 |
| 4.2 沉积工艺参数的研究 | 第67-72页 |
| 4.2.1 双靶靶材输入功率比 PDCPD/MA/PSiO_2的研究 | 第67-68页 |
| 4.2.2 工作气压的研究 | 第68-69页 |
| 4.2.3 卷绕速率的研究 | 第69-70页 |
| 4.2.4 沉积时间的研究 | 第70-72页 |
| 4.3 本章小结 | 第72-73页 |
| 第5章 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜成分、结构及形貌分析 | 第73-99页 |
| 5.1 双靶输入功率比的影响 | 第73-83页 |
| 5.1.1 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的成分分析 | 第73-78页 |
| 5.1.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的结构分析 | 第78-80页 |
| 5.1.3 不同功率比的 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的结构形貌 | 第80-81页 |
| 5.1.4 不同功率比的 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的表面形态 | 第81-83页 |
| 5.2 卷绕速度的影响 | 第83-86页 |
| 5.2.1 卷绕速度对薄膜结构的影响 | 第83-84页 |
| 5.2.2 卷绕速度影响薄膜沉积过程的数学描述 | 第84-86页 |
| 5.3 沉积时间的影响 | 第86-94页 |
| 5.3.1 沉积时间对薄膜成分影响 | 第87-89页 |
| 5.3.2 薄膜的深度方向成分分布 | 第89-94页 |
| 5.4 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的结构模型 | 第94-97页 |
| 5.4.1 磁控共溅射过程中 Si 粒子与高分子链段碎片之间的复合形式 | 第94-95页 |
| 5.4.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的结构模型 | 第95-97页 |
| 5.5 本章小结 | 第97-99页 |
| 第6章 PET 基底磁控共溅射 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜性能及阻隔机制的研究 | 第99-117页 |
| 6.1 PET 基底磁控共溅射 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的力学特性 | 第99-103页 |
| 6.1.1 PET 基底磁控共溅射 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的拉伸力学特性 | 第99-101页 |
| 6.1.2 聚合物基底磁控共溅射 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜耐折力学特性 | 第101-103页 |
| 6.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的气体阻隔性能 | 第103-108页 |
| 6.2.1 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔性能 | 第103-105页 |
| 6.2.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对 O_2的阻隔性能 | 第105-107页 |
| 6.2.3 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对 H_2O 蒸汽的阻隔性能 | 第107-108页 |
| 6.3 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对重金属及有机大分子的阻隔性能 | 第108-112页 |
| 6.3.1 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对重金属的阻隔性能 | 第108-110页 |
| 6.3.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对有机大分子的阻隔性能 | 第110页 |
| 6.3.3 多层阻隔膜的阻隔性能 | 第110-112页 |
| 6.4 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜的阻隔机制 | 第112-116页 |
| 6.4.1 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对惰性气体的阻隔机制 | 第113-114页 |
| 6.4.2 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜对 O2的阻隔机制 | 第114页 |
| 6.4.3 SiO_x-(DCPD/MA)f薄膜防止重金属污染物迁移的阻隔机制 | 第114-115页 |
| 6.4.4 多层薄膜的阻隔机制 | 第115-116页 |
| 6.5 本章小结 | 第116-117页 |
| 结论 | 第117-119页 |
| 参考文献 | 第119-131页 |
| 攻读博士学位期间发表的论文及其它成果 | 第131-133页 |
| 致谢 | 第133-134页 |
| 个人简历 | 第134页 |
