| 摘要 | 第5-6页 |
| ABSTRACT | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第10-15页 |
| 1.1 本文研究的背景及意义 | 第10-11页 |
| 1.2 国内外研究现状 | 第11-12页 |
| 1.3 本文主要工作及创新点 | 第12-13页 |
| 1.4 本论文的结构安排 | 第13-15页 |
| 第二章 标准工艺CMOS器件辐照效应和加固技术 | 第15-32页 |
| 2.1 辐照环境 | 第15-16页 |
| 2.1.1 地磁俘获辐射 | 第15-16页 |
| 2.1.2 太阳射线 | 第16页 |
| 2.1.3 银河宇宙射线 | 第16页 |
| 2.2 辐照效应及加固技术 | 第16-31页 |
| 2.2.1 标准工艺CMOS器件总剂量电离辐射效应及加固设计技术 | 第17-21页 |
| 2.2.1.1 标准工艺CMOS器件总剂量电离辐射效应机理 | 第17-19页 |
| 2.2.1.2 标准工艺CMOS器件总剂量电离辐射效应加固设计技术 | 第19-21页 |
| 2.2.2 标准工艺CMOS器件单粒子效应及加固设计技术 | 第21-31页 |
| 2.2.2.1 标准工艺CMOS器件单粒子效应机理 | 第21-27页 |
| 2.2.2.2 标准工艺CMOS器件单粒子效应加固设计技术 | 第27-31页 |
| 2.3 本章小结 | 第31-32页 |
| 第三章 基于标准工艺的模数转换器设计 | 第32-65页 |
| 3.1 模数转换器总体电路设计 | 第32页 |
| 3.2 模数转换器关键单元电路设计 | 第32-64页 |
| 3.2.1 CMOS输入缓冲器 | 第32-36页 |
| 3.2.2 流水线核设计 | 第36-49页 |
| 3.2.2.1 总体设计 | 第36页 |
| 3.2.2.2 前端设计 | 第36-40页 |
| 3.2.2.3 流水线设计及仿真 | 第40-45页 |
| 3.2.2.4 电容失配的修调电路设计与仿真 | 第45-49页 |
| 3.2.3 基准及偏置单元设计 | 第49-52页 |
| 3.2.3.1 总体结构 | 第49-50页 |
| 3.2.3.2 带隙基准电路 | 第50-51页 |
| 3.2.3.3 基准电路 | 第51页 |
| 3.2.3.4 偏置电流结构 | 第51-52页 |
| 3.2.4 时钟占空比电路 | 第52-55页 |
| 3.2.4.1 总体电路 | 第52-53页 |
| 3.2.4.2 时钟缓冲器的jitter | 第53-55页 |
| 3.2.5 抗辐照数字单元库建立 | 第55页 |
| 3.2.6 抗辐照加固设计 | 第55-64页 |
| 3.2.6.1 电路加固设计 | 第56-63页 |
| 3.2.6.2 版图加固设计 | 第63-64页 |
| 3.3 本章小结 | 第64-65页 |
| 第四章 芯片封装测试与验证 | 第65-74页 |
| 4.1 芯片封装 | 第65页 |
| 4.2 测试系统设计 | 第65-66页 |
| 4.3 测试结果 | 第66-68页 |
| 4.4 模数转换器总剂量辐照效应验证 | 第68-71页 |
| 4.5 模数转换器单粒子辐照效应验证 | 第71-73页 |
| 4.6 本章小结 | 第73-74页 |
| 第五章 结论 | 第74-76页 |
| 5.1 本文的主要贡献 | 第74-75页 |
| 5.2 下一步工作的展望 | 第75-76页 |
| 致谢 | 第76-77页 |
| 参考文献 | 第77-80页 |
| 攻硕期间取得的研究成果 | 第80-81页 |
