| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5页 |
| 第一章 绪论 | 第9-28页 |
| 1.1 光催化剂半导体的研究 | 第9-10页 |
| 1.1.1 引言 | 第9页 |
| 1.1.2 半导体光催化剂的作用机理 | 第9-10页 |
| 1.2 可见光半导体催化剂的改性技术概述 | 第10-18页 |
| 1.2.1 金属离子掺杂半导体 | 第10-12页 |
| 1.2.1.1 稀土离子掺杂催化剂 | 第11页 |
| 1.2.1.2 过渡金属离子掺杂 | 第11-12页 |
| 1.2.1.3 贫金属掺杂 | 第12页 |
| 1.2.2 半导体的染料敏化 | 第12-14页 |
| 1.2.3 半导体表面的贵金属沉积 | 第14-15页 |
| 1.2.4 半导体之间的复合 | 第15-17页 |
| 1.2.4.1 与硫化物复合 | 第15-16页 |
| 1.2.4.2 与氧化物复合 | 第16-17页 |
| 1.2.5 半导体的阴离子掺杂 | 第17-18页 |
| 1.3 半导体光催化剂的应用 | 第18-19页 |
| 1.3.1 光催化剂在净化水体方面的应用 | 第18页 |
| 1.3.2 光催化剂在空气净化方面的应用 | 第18-19页 |
| 1.4 银基半导体的研究进展 | 第19-26页 |
| 1.5 选题依据及研究内容 | 第26-28页 |
| 第二章 Ag_4V_2O_7微米片的制备与表征及其形貌控制 | 第28-38页 |
| 2.1 序言 | 第28-29页 |
| 2.2 实验部分 | 第29-30页 |
| 2.2.1 实验试剂 | 第29页 |
| 2.2.3 表征方法和条件 | 第29-30页 |
| 2.3 Ag_4V_2O_7微米片制备方法讨论 | 第30-32页 |
| 2.3.1 PVP含量对Ag_4V_2O_7形貌的影响 | 第30-31页 |
| 2.3.2 Ag_4V_2O_7微米片的生长过程 | 第31-32页 |
| 2.4 Ag_4V_2O_7六边形微米片的合成 | 第32-36页 |
| 2.4.1 实验步骤 | 第32页 |
| 2.4.2 Ag_4V_2O_7测试与表征 | 第32-36页 |
| 2.4.2.1 粉末X-射线衍射(XRD)测试 | 第32-33页 |
| 2.4.2.2 扫描电子显微镜(SEM)测试 | 第33页 |
| 2.4.2.3 X-射线光电子能谱(XPS)测试 | 第33-34页 |
| 2.4.2.4 能谱(EDS)测试 | 第34-35页 |
| 2.4.2.5 固体紫外-可见测试 | 第35-36页 |
| 2.5 本章小结 | 第36-38页 |
| 第三章 Ag_4V_2O_7微米片光催化性能研究 | 第38-42页 |
| 3.1 实验仪器及降解染料 | 第38-39页 |
| 3.2 光催化性能测试 | 第39-41页 |
| 3.3 本章小结 | 第41-42页 |
| 第四章 结论与展望 | 第42-43页 |
| 参考文献 | 第43-53页 |
| 作者简历 | 第53页 |
| 攻读硕士学位期间发表的学术论文 | 第53-54页 |
| 致谢 | 第54页 |