中文摘要 | 第3-4页 |
Abstract | 第4-5页 |
第一章 绪论 | 第8-14页 |
1.1 二维过渡金属硫属化物的研究概述 | 第8-13页 |
1.1.1 晶体结构 | 第8-9页 |
1.1.2 电子结构 | 第9-10页 |
1.1.3 制备方法 | 第10-11页 |
1.1.4 主要应用及研究 | 第11-13页 |
1.2 本论文的主要工作 | 第13-14页 |
第二章 密度泛函理论与计算方法 | 第14-17页 |
2.1 Schrodinger方程 | 第14页 |
2.2 密度泛函理论 | 第14-15页 |
2.3 Materials Studio软件简介 | 第15页 |
2.4 CASTEP程序包 | 第15-16页 |
2.5 交换关联泛函 | 第16-17页 |
第三章 B,P,Cl掺杂单层MoS_2吸附NO气体的理论研究 | 第17-29页 |
3.1 引言 | 第17-18页 |
3.2 计算方法及细节 | 第18-20页 |
3.3 结果与讨论 | 第20-28页 |
3.3.1 纯净和掺杂的MoS_2体系的结构优化 | 第20-21页 |
3.3.2 NO在纯净和掺杂的MoS_2表面的吸附 | 第21-25页 |
3.3.3 电子结构的变化 | 第25-28页 |
3.4 本章小结 | 第28-29页 |
第四章 Si,Fe掺杂单层MoSe_2吸附NH_3的理论研究 | 第29-41页 |
4.1 引言 | 第29-30页 |
4.2 计算方法 | 第30-32页 |
4.3 结果与讨论 | 第32-40页 |
4.3.1 几何结构 | 第32-35页 |
4.3.1.1 纯净和掺杂的MoSe_2体系 | 第32页 |
4.3.1.2 NH_3在纯净和掺杂的MoSe_2表面的吸附 | 第32-35页 |
4.3.2 电子结构 | 第35-40页 |
4.3.2.1 纯净相MoSe_2吸附NH_3前后电子结构的对比 | 第35-36页 |
4.3.2.2 各掺杂体系吸附NH_3前后电子结构的对比 | 第36-40页 |
4.4 本章小结 | 第40-41页 |
第五章 空缺WS_2吸附NO_2气体的理论研究 | 第41-52页 |
5.1 引言 | 第41-42页 |
5.2 计算方法 | 第42-43页 |
5.3 结果与讨论 | 第43-50页 |
5.3.1 几何结构 | 第43-46页 |
5.3.1.1 纯净相及空缺体系 | 第43页 |
5.3.1.2 NO_2在纯净相及各空缺体系上的吸附 | 第43-46页 |
5.3.2 电子结构 | 第46-50页 |
5.4 本章小结 | 第50-52页 |
结论 | 第52-53页 |
参考文献 | 第53-62页 |
致谢 | 第62-63页 |
个人简历 | 第63-64页 |
在读期间已发表和录用的论文 | 第64页 |
参加的科研项目 | 第64页 |