位错对钛酸钡铁电薄膜性能影响的研究
| 摘要 | 第4-5页 |
| Abstract | 第5-6页 |
| 第1章 绪论 | 第9-19页 |
| 1.1 课题背景 | 第9-15页 |
| 1.1.1 铁电薄膜材料应用 | 第9-10页 |
| 1.1.2 钛酸钡晶体介绍 | 第10页 |
| 1.1.3 铁电理论简介 | 第10-12页 |
| 1.1.4 薄膜材料中位错的概述 | 第12-15页 |
| 1.2 铁电薄膜研究现状 | 第15-17页 |
| 1.2.1 铁电材料计算机模拟现状 | 第15-16页 |
| 1.2.2 铁电薄膜中位错的研究现状 | 第16-17页 |
| 1.3 研究内容和方法 | 第17-19页 |
| 1.3.1 研究内容 | 第17-18页 |
| 1.3.2 研究方法 | 第18-19页 |
| 第2章 分子动力学模拟的原理与方法 | 第19-33页 |
| 2.1 计算机模拟 | 第19页 |
| 2.2 分子动力学的原理 | 第19-23页 |
| 2.2.1 分子动力学模拟的统计力学基础 | 第20-21页 |
| 2.2.2 不同系综下的分子动力学 | 第21-23页 |
| 2.3 分子动力学模拟的势函数 | 第23-24页 |
| 2.3.1 Lennard-Jones 势 | 第23-24页 |
| 2.3.2 Buckingham 势 | 第24页 |
| 2.4 分子动力学模拟的技术方法 | 第24-33页 |
| 2.4.1 平衡系综的控温控压技术 | 第24-27页 |
| 2.4.2 积分算法 | 第27-29页 |
| 2.4.3 初始条件和边界条件 | 第29-30页 |
| 2.4.4 分子动力学模拟的优化算法 | 第30-33页 |
| 第3章 钛酸钡系统模型及计算 | 第33-39页 |
| 3.1 钛酸钡晶体的核壳模型 | 第33-35页 |
| 3.2 计算步骤 | 第35-36页 |
| 3.2.1 计算样品的准备 | 第35-36页 |
| 3.2.2 初始速度的设定 | 第36页 |
| 3.2.3 钛酸钡体系的计算过程 | 第36页 |
| 3.3 自发极化强度的计算 | 第36-38页 |
| 3.4 本章小结 | 第38-39页 |
| 第4章 无缺陷钛酸钡体系的模拟 | 第39-54页 |
| 4.1 钛酸钡块体材料相变的模拟 | 第39-42页 |
| 4.2 钛酸钡薄膜尺寸效应的研究 | 第42-49页 |
| 4.3 应变对钛酸钡薄膜性能的影响 | 第49-52页 |
| 4.4 本章小节 | 第52-54页 |
| 第5章 钛酸钡薄膜中位错的模拟 | 第54-66页 |
| 5.1 钛酸钡薄膜中位错的建立 | 第54-55页 |
| 5.2 钛酸钡薄膜中位错模拟的结果 | 第55-62页 |
| 5.3 位错密度对钛酸钡薄膜的影响 | 第62-65页 |
| 5.4 本章小结 | 第65-66页 |
| 结论 | 第66-67页 |
| 参考文献 | 第67-72页 |
| 致谢 | 第72页 |
