| 中文摘要 | 第3-5页 |
| 英文摘要 | 第5页 |
| 第1章 绪论 | 第9-21页 |
| 1．1 引言 | 第9页 |
| 1．2 BN的相 | 第9-12页 |
| 1．2．1 六角氮化硼 | 第10-11页 |
| 1．2．2 菱形氮化硼 | 第11页 |
| 1．2．3 纤锌矿氮化硼 | 第11页 |
| 1．2．4 立方氮化硼 | 第11页 |
| 1．2．5 氮化硼的相关系 | 第11-12页 |
| 1．3 立方氮化硼的结构，性质和应用 | 第12-14页 |
| 1．3．1 立方氮化硼的结构 | 第12页 |
| 1．3．2 立方氮化硼的性质和应用 | 第12-14页 |
| 1．4 立方氮化硼的研究进展 | 第14-19页 |
| 1．4．1 cBN薄膜的制备技术回顾 | 第15-17页 |
| 1．4．2 cBN薄膜的微结构和形成机理 | 第17-19页 |
| 1．5 目前立方氮化硼薄膜研究面临的问题 | 第19-20页 |
| 1．5．1 薄膜与衬底的结合力弱 | 第19页 |
| 1．5．2 非立方相氮化硼的存在 | 第19-20页 |
| 1．5．3 外延生长问题 | 第20页 |
| 1．6 本章小结 | 第20-21页 |
| 第2章 用射频溅射法制备立方氮化硼 | 第21-33页 |
| 2．1 引言 | 第21页 |
| 2．2 射频溅射 | 第21-25页 |
| 2．2．1 辉光放电的电场类型 | 第21-22页 |
| 2．2．2 射频辉光放电 | 第22页 |
| 2．2．3 射频溅射的特点 | 第22-23页 |
| 2．2．4 射频溅射系统 | 第23-25页 |
| 2．3 实验过程 | 第25-27页 |
| 2．3．1 衬底清洗 | 第25页 |
| 2．3．2 样品制备 | 第25-26页 |
| 2．3．3 氮化硼薄膜的红外分析 | 第26-27页 |
| 2．4 直流负偏压对BN薄膜成分的影响 | 第27-31页 |
| 2．4．1 实验方法 | 第28页 |
| 2．4．2 实验结果 | 第28-29页 |
| 2．4．3 结果讨论 | 第29-30页 |
| 2．4．4 负偏压对沉积立方氮化硼的影响机理 | 第30-31页 |
| 2．5 工作气体和衬底对BN薄膜立方相含量的影响 | 第31-32页 |
| 2．5．1 工作气压的影响 | 第31-32页 |
| 2．5．2 衬底的影响 | 第32页 |
| 2．6 本章小结 | 第32-33页 |
| 第3章 氮化硼薄膜的n形掺杂 | 第33-44页 |
| 3．1 引言 | 第33-34页 |
| 3．2 掺杂实验 | 第34-35页 |
| 3．2．1 掺杂方法 | 第34-35页 |
| 3．2．2 掺杂实验过程 | 第35页 |
| 3．3 成分分析 | 第35-39页 |
| 3．3．1 光电子能谱 | 第36-38页 |
| 3．3．2 俄歇电子能谱 | 第38-39页 |
| 3．4 工艺参数对n型氮化硼薄膜电阻率的影响 | 第39-41页 |
| 3．4．1 硫源加热温度的影响 | 第39-40页 |
| 3．4．2 衬底温度和直流负偏压的影响 | 第40-41页 |
| 3．5 掺杂机理 | 第41-43页 |
| 3．5．1 基本理论 | 第41-42页 |
| 3．5．2 氮化硼中的S杂质 | 第42-43页 |
| 3．6 本章小结 | 第43-44页 |
| 第4章 p-Si／n-BN异质结特性研究 | 第44-57页 |
| 4．1 引言 | 第44页 |
| 4．2 异质结基本理论 | 第44-48页 |
| 4．2．1 异质结概念的提出和发展 | 第44-45页 |
| 4．2．2 异质结构的能带图 | 第45-48页 |
| 4．3 p-Si／n-BN异质结的能带结构 | 第48-51页 |
| 4．3．1 氮化硼薄膜光学带隙 | 第48-49页 |
| 4．3．2 p-Si／n-BN异质结的导带差和价带差 | 第49-50页 |
| 4．3．3 p型Si和n型BN的费米能级 | 第50-51页 |
| 4．4 p-Si／n-BN异质结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第51-54页 |
| 4．4．1 实验与测量 | 第51-52页 |
| 4．4．2 结果分析 | 第52-54页 |
| 4．5 p-Si／n-BN异质结的Ⅰ-Ⅴ特性 | 第54-56页 |
| 4．6 本章小结 | 第56-57页 |
| 结论 | 第57-58页 |
| 参考文献 | 第58-61页 |
| 致谢 | 第61页 |