| 摘要 | 第3-4页 |
| Abstract | 第4页 |
| 第一章 绪论 | 第5-17页 |
| 1.1 引言 | 第5-7页 |
| 1.2 纳米半导体材料 | 第7-8页 |
| 1.3 外延生长原理 | 第8-11页 |
| 1.4 S-K生长模式与成核条件 | 第11-14页 |
| 1.5 量子点独特结构所具有的性能 | 第14-15页 |
| 1.6 量子点的应用 | 第15-16页 |
| 1.7 论文研究内容 | 第16-17页 |
| 第二章 实验理论基础 | 第17-30页 |
| 2.1 晶体表面微观形貌 | 第17-21页 |
| 2.2 异质外延生长技术 | 第21-23页 |
| 2.3 薄膜临界厚度 | 第23-24页 |
| 2.4 晶格失配应力 | 第24-27页 |
| 2.5 表面驰豫与重构 | 第27-28页 |
| 2.6 不同GaAs(100)初始形貌对量子点的影响 | 第28-30页 |
| 第三章 实验研究内容 | 第30-35页 |
| 3.1 In GaAs/AlGaAs/GaAs量子点生长基础 | 第30页 |
| 3.2 GaAs衬底脱氧 | 第30-31页 |
| 3.3 实验内容 | 第31-32页 |
| 3.4 AlGaAs插入层的生长 | 第32-35页 |
| 第四章 实验结果分析 | 第35-44页 |
| 4.1 引言 | 第35页 |
| 4.2 退火时间对In GaAs/AlGaAs/GaAs量子点的影响 | 第35-38页 |
| 4.2.1 生长过程 | 第35-36页 |
| 4.2.2 实验结果分析 | 第36-38页 |
| 4.3 不同As压对InGaAs/AlGaAs/GaAs量子点的影响 | 第38-40页 |
| 4.4 生长温度对In GaAs/AlGaAs/GaAs量子点的影响 | 第40-42页 |
| 4.5 覆盖层对In GaAs/AlGaAs/GaAs量子点的影响 | 第42-44页 |
| 第五章 总结 | 第44-46页 |
| 第六章 研究展望 | 第46-47页 |
| 致谢 | 第47-49页 |
| 参考文献 | 第49-53页 |
| 攻读硕士期间参加发表的论文和参加科研情况 | 第53-54页 |
