| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-9页 |
| 第1章 绪论 | 第13-39页 |
| 1.1 研究背景及意义 | 第13-14页 |
| 1.2 热电效应及其应用 | 第14-17页 |
| 1.2.1 Seebeck效应 | 第14-15页 |
| 1.2.2 Peltier效应 | 第15页 |
| 1.2.3 Thomson效应 | 第15-16页 |
| 1.2.4 Kelvin关系 | 第16页 |
| 1.2.5 热电效应的应用 | 第16-17页 |
| 1.3 热电材料的性能表征 | 第17-21页 |
| 1.3.1 Seebeck系数 | 第17-18页 |
| 1.3.2 电导率 | 第18-19页 |
| 1.3.3 热导率 | 第19-20页 |
| 1.3.4 无量纲热电优值ZT | 第20-21页 |
| 1.4 优化材料热电性能的方法和途径 | 第21-26页 |
| 1.4.1 提高Seebeck系数 | 第21-23页 |
| 1.4.2 保持好的电导率 | 第23页 |
| 1.4.3 降低晶格热导率 | 第23-26页 |
| 1.5 新型热电材料设计 | 第26-32页 |
| 1.5.1 高功率因子材料 | 第26-29页 |
| 1.5.2 本征低热导率材料 | 第29-32页 |
| 1.6 玻璃态热电材料的研究 | 第32-34页 |
| 1.7 玻璃化转变与玻璃态材料的制备 | 第34-36页 |
| 1.7.1 玻璃化转变 | 第34-35页 |
| 1.7.2 玻璃态结构 | 第35页 |
| 1.7.3 玻璃态材料的制备 | 第35-36页 |
| 1.8 本文的主要研究内容 | 第36-39页 |
| 第2章 实验样品的制备和测试方法 | 第39-47页 |
| 2.1 实验原料 | 第39页 |
| 2.2 实验方案 | 第39页 |
| 2.3 实验设备及参数 | 第39-47页 |
| 2.3.1 高精度电子天平 | 第40页 |
| 2.3.2 真空封管机 | 第40-41页 |
| 2.3.3 高温箱式电阻炉 | 第41页 |
| 2.3.4 真空甩带机 | 第41-42页 |
| 2.3.5 放电等离子烧结系统 | 第42-43页 |
| 2.3.6 六面顶压机 | 第43-44页 |
| 2.3.7 X射线衍射分析（X-ray Diffractomemtry, XRD） | 第44页 |
| 2.3.8 差示扫描量热分析(Differential Scanning Calorimetry, DSC) | 第44页 |
| 2.3.9 透射电子显微镜分析(Transmission Electron Microscope, TEM) | 第44页 |
| 2.3.10 热电性能测试 | 第44-47页 |
| 第3章 窄带隙SnTe基半导体的玻璃转变研究 | 第47-64页 |
| 3.1 引言 | 第47-48页 |
| 3.2 窄带隙碲基玻璃的研究现状 | 第48页 |
| 3.3 玻璃形成的影响因素 | 第48-49页 |
| 3.4 实验步骤与操作 | 第49-50页 |
| 3.5 硫族物质玻璃形成能力的研究 | 第50-51页 |
| 3.6 窄带隙碲化物的玻璃化转变研究 | 第51-62页 |
| 3.6.1 纯窄带碲化物的玻璃化转变研究 | 第53-54页 |
| 3.6.2 二元混合体系窄带碲化物的玻璃化转变研究 | 第54页 |
| 3.6.3 二元共晶体系窄带碲化物的玻璃化转变研究 | 第54-62页 |
| 3.7 本章小结 | 第62-64页 |
| 第4章 块体(Ga_2Te_3)_(34)(SnTe)_(66) 玻璃的制备及其热电性能研究 | 第64-75页 |
| 4.1 引言 | 第64-65页 |
| 4.2 实验步骤及操作 | 第65-66页 |
| 4.3 SPS烧结工艺的研究 | 第66-70页 |
| 4.3.1 不同烧结压力对样品致密度和相组成的影响 | 第67-68页 |
| 4.3.2 不同烧结温度对样品致密度和相组成的影响 | 第68-70页 |
| 4.4 块体(Ga_2Te_3)_(34)(SnTe)_(66) 样品的热电性能分析 | 第70-74页 |
| 4.4.1 热导率分析 | 第70-71页 |
| 4.4.2 Seebeck系数分析 | 第71-72页 |
| 4.4.3 电导率分析 | 第72-74页 |
| 4.5 本章小结 | 第74-75页 |
| 第5章 Ga_2Te_3-SnTe玻璃体系的晶化动力学研究 | 第75-92页 |
| 5.1 引言 | 第75-76页 |
| 5.2 实验结果与讨论 | 第76-90页 |
| 5.2.1 恒定升温速率下的DSC曲线分析 | 第76-78页 |
| 5.2.2 玻璃化转变和晶化转变对升温速率的依赖性 | 第78-79页 |
| 5.2.3 理论分析模型 | 第79页 |
| 5.2.4 激活能研究 | 第79-82页 |
| 5.2.5 晶化机制分析 | 第82-86页 |
| 5.2.6 局域晶化激活能Ec(x) | 第86-87页 |
| 5.2.7 局域Avrami指数n(x) | 第87-88页 |
| 5.2.8 热稳定性研究 | 第88-89页 |
| 5.2.9 晶化析出相分析 | 第89-90页 |
| 5.3 本章小结 | 第90-92页 |
| 第6章 (Ga_2Te_3)_(34)(SnTe)_(66) 微晶玻璃的制备及其热电性能研究 | 第92-97页 |
| 6.1 引言 | 第92页 |
| 6.2 不同热处理工艺对相组成的影响 | 第92-93页 |
| 6.3 不同晶化程度对热电性能的影响 | 第93-96页 |
| 6.3.1 不同晶化程度对电阻率的影响 | 第93-94页 |
| 6.3.2 不同晶化程度对Seebeck系数的影响 | 第94-95页 |
| 6.3.3 不同晶化程度对热导率的影响 | 第95-96页 |
| 6.4 本章小结 | 第96-97页 |
| 结论 | 第97-98页 |
| 参考文献 | 第98-110页 |
| 攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第110-112页 |
| 致谢 | 第112-113页 |
| 作者简介 | 第113页 |
