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Mg2SixSn1-x热电材料的电子结构与输运性能研究

摘要第5-7页
Abstract第7-8页
第1章 绪论第11-26页
    1.1 课题背景及研究的目的和意义第11-13页
    1.2 几种典型的热电材料的发展第13-20页
    1.3 Mg_2Si基热电材料的研究进展第20-23页
    1.4 提高材料热电性能的方法第23-24页
    1.5 本文的主要研究内容第24-26页
第2章 计算理论基础第26-40页
    2.1 第一性原理简介第26-28页
        2.1.1 绝热近似第26-27页
        2.1.2 Hartree-Fock近似第27-28页
    2.2 密度泛函理论(DFT)第28-34页
        2.2.1 Hohenberg-Kohn(H-K)定理第29页
        2.2.2 Kohn-Sham(K-S)方程第29-30页
        2.2.3 交换关联泛函第30-31页
        2.2.4 全电子势和赝势方法第31-34页
    2.3 玻尔兹曼(Boltzmann)输运理论第34-38页
        2.3.1 载流子输运理论第34-36页
        2.3.2 声子的输运理论第36-38页
    2.4 固溶体的结构第38-40页
        2.4.1 相干势近似(CPA)第38页
        2.4.2 超晶胞方法第38-39页
        2.4.3 特殊准随机结构(SQS)第39-40页
第3章 Mg_2X (X=Si, Sn)的热电性能第40-53页
    3.1 引言第40-41页
    3.2 计算方法第41页
    3.3 能带结构第41-43页
    3.4 输运性能第43-52页
        3.4.1 n型Mg_2Si和Mg_2Sn的输运性能第43-48页
        3.4.2 p型Mg_2Si和Mg_2Sn的输运性能第48-52页
    3.5 本章小结第52-53页
第4章 静水压对Mg_2X (X=Si, Sn)的电子输运性能影响第53-69页
    4.1 引言第53页
    4.2 计算方法及细节第53-54页
    4.3 Mg_2Si在静水压下的电子性能及输运性能第54-62页
        4.3.1 Mg_2Si在静水压下的电子性能第54-56页
        4.3.2 n-Mg_2Si在静水压下的热电性能第56-60页
        4.3.3 p-Mg_2Si在静水压下的热电性能第60-62页
    4.4 Mg_2Sn在静水压下的电子性能及输运性能第62-67页
        4.4.1 Mg_2Sn在静水压下的电子性能第62-64页
        4.4.2 n-Mg_2Sn在静水压下的热电性能第64-67页
    4.5 本章小结第67-69页
第5章 Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的电子输运性能第69-87页
    5.1 引言第69-70页
    5.2 理论模型与计算方法第70-72页
        5.2.1 单抛物能带模型(SPB)第70-71页
        5.2.2 计算方法第71-72页
    5.3 Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的结构与稳定性第72-74页
    5.4 电子态密度第74页
    5.5 输运性能第74-85页
        5.5.1 n-Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的输运性能第74-81页
        5.5.2 p-Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的输运性能第81-85页
    5.6 本章小结第85-87页
第6章 Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的输运性能第87-100页
    6.1 引言第87-88页
    6.2 计算方法第88-89页
    6.3 晶格动力学第89-93页
        6.3.1 Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的结构与稳定性第89-90页
        6.3.2 晶格热导率第90-93页
    6.4 电子态密度第93页
    6.5 n-Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的输运性能第93-98页
    6.6 本章小结第98-100页
结论第100-102页
参考文献第102-121页
攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果第121-123页
致谢第123页

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