摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
第1章 绪论 | 第11-26页 |
1.1 课题背景及研究的目的和意义 | 第11-13页 |
1.2 几种典型的热电材料的发展 | 第13-20页 |
1.3 Mg_2Si基热电材料的研究进展 | 第20-23页 |
1.4 提高材料热电性能的方法 | 第23-24页 |
1.5 本文的主要研究内容 | 第24-26页 |
第2章 计算理论基础 | 第26-40页 |
2.1 第一性原理简介 | 第26-28页 |
2.1.1 绝热近似 | 第26-27页 |
2.1.2 Hartree-Fock近似 | 第27-28页 |
2.2 密度泛函理论(DFT) | 第28-34页 |
2.2.1 Hohenberg-Kohn(H-K)定理 | 第29页 |
2.2.2 Kohn-Sham(K-S)方程 | 第29-30页 |
2.2.3 交换关联泛函 | 第30-31页 |
2.2.4 全电子势和赝势方法 | 第31-34页 |
2.3 玻尔兹曼(Boltzmann)输运理论 | 第34-38页 |
2.3.1 载流子输运理论 | 第34-36页 |
2.3.2 声子的输运理论 | 第36-38页 |
2.4 固溶体的结构 | 第38-40页 |
2.4.1 相干势近似(CPA) | 第38页 |
2.4.2 超晶胞方法 | 第38-39页 |
2.4.3 特殊准随机结构(SQS) | 第39-40页 |
第3章 Mg_2X (X=Si, Sn)的热电性能 | 第40-53页 |
3.1 引言 | 第40-41页 |
3.2 计算方法 | 第41页 |
3.3 能带结构 | 第41-43页 |
3.4 输运性能 | 第43-52页 |
3.4.1 n型Mg_2Si和Mg_2Sn的输运性能 | 第43-48页 |
3.4.2 p型Mg_2Si和Mg_2Sn的输运性能 | 第48-52页 |
3.5 本章小结 | 第52-53页 |
第4章 静水压对Mg_2X (X=Si, Sn)的电子输运性能影响 | 第53-69页 |
4.1 引言 | 第53页 |
4.2 计算方法及细节 | 第53-54页 |
4.3 Mg_2Si在静水压下的电子性能及输运性能 | 第54-62页 |
4.3.1 Mg_2Si在静水压下的电子性能 | 第54-56页 |
4.3.2 n-Mg_2Si在静水压下的热电性能 | 第56-60页 |
4.3.3 p-Mg_2Si在静水压下的热电性能 | 第60-62页 |
4.4 Mg_2Sn在静水压下的电子性能及输运性能 | 第62-67页 |
4.4.1 Mg_2Sn在静水压下的电子性能 | 第62-64页 |
4.4.2 n-Mg_2Sn在静水压下的热电性能 | 第64-67页 |
4.5 本章小结 | 第67-69页 |
第5章 Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的电子输运性能 | 第69-87页 |
5.1 引言 | 第69-70页 |
5.2 理论模型与计算方法 | 第70-72页 |
5.2.1 单抛物能带模型(SPB) | 第70-71页 |
5.2.2 计算方法 | 第71-72页 |
5.3 Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的结构与稳定性 | 第72-74页 |
5.4 电子态密度 | 第74页 |
5.5 输运性能 | 第74-85页 |
5.5.1 n-Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的输运性能 | 第74-81页 |
5.5.2 p-Mg_2Si_(0.3)Sn_(0.7) 的输运性能 | 第81-85页 |
5.6 本章小结 | 第85-87页 |
第6章 Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的输运性能 | 第87-100页 |
6.1 引言 | 第87-88页 |
6.2 计算方法 | 第88-89页 |
6.3 晶格动力学 | 第89-93页 |
6.3.1 Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的结构与稳定性 | 第89-90页 |
6.3.2 晶格热导率 | 第90-93页 |
6.4 电子态密度 | 第93页 |
6.5 n-Mg_2Si_(0.4)Sn_(0.6) 的输运性能 | 第93-98页 |
6.6 本章小结 | 第98-100页 |
结论 | 第100-102页 |
参考文献 | 第102-121页 |
攻读博士学位期间承担的科研任务与主要成果 | 第121-123页 |
致谢 | 第123页 |