| 摘要 | 第4-6页 |
| Abstract | 第6-7页 |
| 第一章 绪论 | 第8-18页 |
| 1.1 引言 | 第8页 |
| 1.2 In0.5Ga0.5As的结构模型 | 第8-10页 |
| 1.3 In GaAs材料的基本性质及应用 | 第10-11页 |
| 1.4 In GaAs的研究现状 | 第11-16页 |
| 1.4.1 In GaAs的应用研究 | 第11-13页 |
| 1.4.2 In GaAs的理论研究 | 第13-16页 |
| 1.5 研究目的和主要内容 | 第16-18页 |
| 1.5.1 研究目的 | 第16-17页 |
| 1.5.2 研究方法和内容 | 第17-18页 |
| 第二章 模拟和计算方法介绍 | 第18-26页 |
| 2.1 分子动力学模拟 | 第18-22页 |
| 2.1.1 分子动力学方法的基本理论 | 第18-19页 |
| 2.1.2 势函数介绍 | 第19-20页 |
| 2.1.3 时间步长与积分算法 | 第20-21页 |
| 2.1.4 周期性边界条件 | 第21-22页 |
| 2.1.5 温度和压强的控制 | 第22页 |
| 2.2 第一性原理基础理论 | 第22-23页 |
| 2.2.1 密度泛函理论 | 第22页 |
| 2.2.2 赝势 | 第22-23页 |
| 2.2.3 CASTEP软件介绍 | 第23页 |
| 2.3 微观结构表征方法介绍 | 第23-25页 |
| 2.3.1 径向分布函数 | 第23-24页 |
| 2.3.2 键角分布函数 | 第24页 |
| 2.3.3 配位数分析 | 第24页 |
| 2.3.4 二面角分析 | 第24-25页 |
| 2.3.5 图形可视化 | 第25页 |
| 2.4 本章小结 | 第25-26页 |
| 第三章 理想In GaAs晶体熔化过程的分子动力学模拟 | 第26-34页 |
| 3.1 引言 | 第26页 |
| 3.2 熔化过程中的微观结构演变 | 第26-33页 |
| 3.2.1 模拟条件及方法 | 第27页 |
| 3.2.2 体熔点 | 第27页 |
| 3.2.3 径向分布函数 | 第27-28页 |
| 3.2.4 键角分布函数 | 第28-29页 |
| 3.2.5 配位数 | 第29-30页 |
| 3.2.6 微观结构分析 | 第30-33页 |
| 3.3 本章小结 | 第33-34页 |
| 第四章 冷速对液态In GaAs快速凝固过程中微观结构的影响 | 第34-48页 |
| 4.1 引言 | 第34页 |
| 4.2 模拟条件和方法 | 第34-35页 |
| 4.3 计算结果分析 | 第35-47页 |
| 4.3.1 径向分布函数 | 第35-36页 |
| 4.3.2 键角分布函数 | 第36-37页 |
| 4.3.3 配位数分析 | 第37-38页 |
| 4.3.4 二面角分析 | 第38-39页 |
| 4.3.5 微观结构分析 | 第39-47页 |
| 4.4 本章小结 | 第47-48页 |
| 第五章 压强对液态In GaAs快速凝固过程中微观结构的影响 | 第48-58页 |
| 5.1 引言 | 第48页 |
| 5.2 压强对液态In GaAs快速凝固过程的影响 | 第48-57页 |
| 5.2.1 模拟条件及方法 | 第48-49页 |
| 5.2.2 原子平均能量与比体积 | 第49页 |
| 5.2.3 径向分布函数 | 第49-51页 |
| 5.2.4 键角分布函数 | 第51-53页 |
| 5.2.5 配位数分析 | 第53页 |
| 5.2.6 二面角分析 | 第53-55页 |
| 5.2.7 微观结构分析 | 第55-57页 |
| 5.3 本章小结 | 第57-58页 |
| 第六章 二维半导体材料In0.5Ga0.5As | 第58-64页 |
| 6.1 引言 | 第58-59页 |
| 6.2 二维In0.5Ga0.5As结构建模思想来源 | 第59-60页 |
| 6.3 理论模型与计算方法 | 第60-63页 |
| 6.3.1 理论模型 | 第60-61页 |
| 6.3.2 计算方法 | 第61-62页 |
| 6.3.3 计算结果的分析 | 第62-63页 |
| 6.4 本章小结 | 第63-64页 |
| 第七章 总结 | 第64-66页 |
| 7.1 总结 | 第64-65页 |
| 7.2 有待进一步解决的问题 | 第65-66页 |
| 参考文献 | 第66-74页 |
| 致谢 | 第74-76页 |
| 附录 | 第76-77页 |
