致谢 | 第4-5页 |
摘要 | 第5-7页 |
Abstract | 第7-8页 |
1 引言 | 第12-13页 |
2 绪论 | 第13-36页 |
2.1 概述 | 第13-14页 |
2.2 红外探测器 | 第14-19页 |
2.2.1 红外探测器发展 | 第14-15页 |
2.2.2 红外探测器分类 | 第15-16页 |
2.2.3 光导型红外探测器 | 第16-19页 |
2.3 硒化铅(PbSe)红外探测器 | 第19-34页 |
2.3.1 PbSe简介 | 第19-20页 |
2.3.2 PbSe材料研究现状 | 第20-21页 |
2.3.3 PbSe薄膜制备方法 | 第21-28页 |
2.3.4 PbSe薄膜性能研究 | 第28-31页 |
2.3.5 PbSe薄膜理论研究 | 第31-33页 |
2.3.6 PbSe薄膜应用研究 | 第33-34页 |
2.4 本论文研究内容 | 第34-36页 |
3 PbSe薄膜生长过程的热力学研究 | 第36-53页 |
3.1 引言 | 第36-37页 |
3.2 实验过程 | 第37-38页 |
3.2.1 热力学模拟计算 | 第37-38页 |
3.2.2 PbSe薄膜制备及表征 | 第38页 |
3.3 实验结果及讨论 | 第38-52页 |
3.3.1 表面能模拟计算 | 第39-40页 |
3.3.2 界面能模拟计算 | 第40-43页 |
3.3.3 应变能模拟计算 | 第43-45页 |
3.3.4 能带结构模拟 | 第45-47页 |
3.3.5 实验验证 | 第47-52页 |
3.4 本章小结 | 第52-53页 |
4 镀膜工艺参数对PbSe薄膜性能的影响 | 第53-85页 |
4.1 引言 | 第53-54页 |
4.2 实验过程 | 第54-57页 |
4.2.1 PbSe薄膜制备 | 第54-56页 |
4.2.2 PbSe薄膜表征 | 第56-57页 |
4.3 实验结果及讨论 | 第57-83页 |
4.3.1 沉积时间对PbSe薄膜性能的影响 | 第57-73页 |
4.3.2 沉积温度对PbSe薄膜性能的影响 | 第73-83页 |
4.4 本章小结 | 第83-85页 |
5 敏化处理对PbSe薄膜性能的影响 | 第85-102页 |
5.1 引言 | 第85-86页 |
5.2 实验过程 | 第86-87页 |
5.2.1 PbSe薄膜准备 | 第86页 |
5.2.2 PbSe薄膜敏化处理 | 第86-87页 |
5.2.3 PbSe薄膜表征 | 第87页 |
5.3 实验结果及讨论 | 第87-101页 |
5.3.1 敏化处理对PbSe薄膜电学性能的影响 | 第87-90页 |
5.3.2 敏化处理对PbSe薄膜成分和结构的影响 | 第90-93页 |
5.3.3 敏化处理对PbSe薄膜光学性能的影响 | 第93-98页 |
5.3.4 敏化处理对PbSe薄膜光电性能的影响 | 第98-101页 |
5.4 本章小结 | 第101-102页 |
6 掺杂对PbSe薄膜性能的影响 | 第102-116页 |
6.1 引言 | 第102-103页 |
6.2 实验过程 | 第103-104页 |
6.2.1 掺杂PbSe薄膜制备 | 第103-104页 |
6.2.2 掺杂PbSe薄膜表征 | 第104页 |
6.3 实验结果及讨论 | 第104-114页 |
6.3.1 掺杂对PbSe薄膜形貌及成分的影响 | 第104-108页 |
6.3.2 掺杂对PbSe薄膜晶体结构的影响 | 第108-110页 |
6.3.3 掺杂对PbSe薄膜光学性能的影响 | 第110-113页 |
6.3.4 掺杂对PbSe薄膜光电性能的影响 | 第113-114页 |
6.4 本章小结 | 第114-116页 |
7 PbSe薄膜红外探测器 | 第116-124页 |
7.1 引言 | 第116-117页 |
7.2 实验过程 | 第117-119页 |
7.2.1 PbSe红外探测器组装 | 第117-118页 |
7.2.2 PbSe红外探测器测试 | 第118-119页 |
7.3 实验结果及讨论 | 第119-123页 |
7.3.1 PbSe红外探测器的峰值波长 | 第120-121页 |
7.3.2 PbSe红外探测器的响应度 | 第121-122页 |
7.3.3 PbSe红外探测器的探测率 | 第122-123页 |
7.4 本章小结 | 第123-124页 |
8 结论 | 第124-126页 |
9 未来展望 | 第126-127页 |
参考文献 | 第127-140页 |
作者简历及在学研究成果 | 第140-143页 |
学位论文数据集 | 第143页 |