| 摘要 | 第5-7页 |
| Abstract | 第7-8页 |
| 第一章 绪论 | 第11-35页 |
| 1.1 研究背景 | 第11-12页 |
| 1.2 二维TMDs的结构与性质 | 第12-18页 |
| 1.2.1 MX_2的晶体结构 | 第12-13页 |
| 1.2.2 MX_2的电子结构 | 第13-15页 |
| 1.2.3 MX_2的光学性质 | 第15-18页 |
| 1.3 二维TMDs的应用 | 第18-26页 |
| 1.3.1 场效应晶体管 | 第18-24页 |
| 1.3.2 光电器件和气体传感 | 第24-25页 |
| 1.3.3 能谷电子学的应用 | 第25-26页 |
| 1.4 二维TMDs的制备方法 | 第26-32页 |
| 1.4.1 "自上而下"的制备方法 | 第27-29页 |
| 1.4.2 "自下而上"的制备方法 | 第29-32页 |
| 1.5 本论文的主要内容 | 第32-35页 |
| 第二章 单层MoSe_2的可控制备及表征 | 第35-55页 |
| 2.1 引言 | 第35页 |
| 2.2 实验过程 | 第35-37页 |
| 2.3 生长条件对单层MoSe_2制备的影响 | 第37-44页 |
| 2.3.1 反应源的量对于生长的影响 | 第37-39页 |
| 2.3.2 衬底不同位置的生长的结果 | 第39-41页 |
| 2.3.3 载气通量对于生长的影响 | 第41页 |
| 2.3.4 生长时间对于生长的影响 | 第41-43页 |
| 2.3.5 其他因素的补充说明 | 第43-44页 |
| 2.4 一种通用的生长架构 | 第44-46页 |
| 2.5 单层MoSe_2的表征 | 第46-53页 |
| 2.5.1 MoSe_2形貌的AFM表征 | 第46页 |
| 2.5.2 MoSe_2结构的TEM表征 | 第46-49页 |
| 2.5.3 MoSe_2的拉曼和PL表征 | 第49-51页 |
| 2.5.4 MoSe_2的电学表征 | 第51-53页 |
| 2.6 本章小结 | 第53-55页 |
| 第三章 二维In_2Se_3/MoSe_2异质结的制备与表征 | 第55-69页 |
| 3.1 引言 | 第55-59页 |
| 3.1.1 2D-2D异质结的制备方法 | 第55-57页 |
| 3.1.2 2D-2D异质结的性质 | 第57-58页 |
| 3.1.3 2D-2D异质结的器件架构 | 第58-59页 |
| 3.2 二维In_2Se_3/MoSe_2异质结的制备 | 第59-61页 |
| 3.3 二维In_2Se_3/MoSe_2异质结的表征 | 第61-67页 |
| 3.3.1 AFM表征 | 第61-62页 |
| 3.3.2 TEM表征 | 第62-63页 |
| 3.3.3 拉曼和PL表征 | 第63-66页 |
| 3.3.4 光电表征 | 第66-67页 |
| 3.4 本章小结 | 第67-69页 |
| 第四章 展望 | 第69-71页 |
| 参考文献 | 第71-83页 |
| 致谢 | 第83-87页 |
| 攻读硕士期间发表的论文 | 第87页 |
